„Félvezetők fizikája” változatai közötti eltérés
(→Ajánlott irodalom) |
(→Ajánlott irodalom) |
||
| 91. sor: | 91. sor: | ||
*[https://www.amazon.com/Electronic-Optoelectronic-Properties-Semiconductor-Structures/dp/0521035740 J. Singh: Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures] (9. fejezet) | *[https://www.amazon.com/Electronic-Optoelectronic-Properties-Semiconductor-Structures/dp/0521035740 J. Singh: Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures] (9. fejezet) | ||
*Az előadások anyagaiban szereplő folyóirat referenciák | *Az előadások anyagaiban szereplő folyóirat referenciák | ||
| − | + | ||
*[[Nanofizika tudásbázis]] | *[[Nanofizika tudásbázis]] | ||
| + | *[http://britneyspears.ac/lasers.htm Britney Spears' Guide to Semiconductor Physics] | ||
A lap 2016. november 22., 10:48-kori változata
Tárgy adatok (2016 ősz)
Tárgyfelelős: Dr. Csontos Miklós
Tanszék: BME Fizika Tanszék
Kód: BMETE11MF26
Besorolás: BME TTK fizikus MSC képzésben kötelezően választható tárgy
Követelmény: 2/0/0/V/3
Nyelv: magyar
Előtanulmányi követelmény: A szilárdtestfizika alapjai (BMETE11AF05)
Jelenléti követelmények: Részvétel az előadások legalább 70%-án. Az előadásokon jelenléti ívet vezetünk.
Félév végi osztályzat: szóbeli vizsga alapján
Konzultációk: előzetes bejelentkezés alapján
Tematika
Bevezetés
A félvezetõ fizika jelentõsége, modern alkalmazások, az elektronika határai.
Töltéshordozók félvezetőkben
Kristályszerkezet és szimmetriák, elektronok statisztikája a kristályrácsban, Bloch állapotok, sávszerkezet, envelope function. Rácshibák, szennyezõ atomok, lokalizált állapotok. Sekély nívók, mély nívók, töltéshordozók és vezetési tartományok félvezetõkben.
Félvezetők sávszerkezete
Spin-pálya kölcsönhatás, kp közelítés.
Transzport jelenségek hõmérsékleti egyensúlyban
Kváziklasszikus dinamika, effektív tömeg közelítés, Boltzmann-egyenlet, transzport külsõ terekben, vezetõképesség, Hall-effektus, mágneses ellenállás egy és több sáv esetén. Termoelektromos és termomágneses jelenségek.
Diffúziós jelenségek félvezetõkben
Inhomogén félvezetõk, diffúzió, Einstein reláció, vezetési jelenségek. Transzport instabilitások, Gunn dióda. p-n átmenet, Zener dióda, alagút dióda, bipoláris tranzisztorok, JFET.
Félvezetõk elõállítása és minõsítése
Hagyományos és epitaxiális növesztési eljárások, minõsítõ technikák, rácsillesztés, band-engineering, heteroszerkezetek, szuperrácsok, nagy mobilitású 2 dimenziós elektrongáz és nagyfrekvenciás alkalmazásai, HEMT.
Félvezetõ nanostruktúrák elõállítása
Önszervezõdõ növekedés, növesztés elõre definiált szubsztrátokra, cleaved edge overgrowth, nanovezetékek epitaxiális növesztése, optikai- és elektronsugaras litográfia, split-gate technológia, AFM litográfia.
A tér-effektus és alkalmazásai
Felületi állapotsûrûség, távoli dópolás, Schottky barrier, Schottky dióda, Ohmikus kontaktusok, MOS szerkezetek, High-k dielektrikumok, flash memóriák, napelemek, CCD eszközök. A CMOS technológia alapjai és a miniatürizáció kihívásai. FinFET.
Félvezetõk optikai tulajdonságai
Kölcsönhatások fénnyel, fotovezetés, szabad töltéshordozók abszorpciója. Rekombinációs mechanizmusok: sugárzásos rekombináció, rekombináció nívón keresztül. Világító dióda (LED) és félvezetõ lézerek elve, felépítése, mûködése és alkalmazásai, kék LED.
Ajánlott irodalom
- Sólyom Jenő: A modern szilárdtestfizika alapjai II. (16, 20, 24, 25, 27. fejezetek)
- Thomas Ihn: Semiconductor Nanostructures (1-7. és 9. fejezetek)
- Thomas Heinzel: Mesoscopic Electronics in Solid State Nanostructures (3-4. fejezetek)
- L. A. Coldren and S. W. Corzine: Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (1-4 fejezetek)
- J. Singh: Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures (9. fejezet)
- Az előadások anyagaiban szereplő folyóirat referenciák
