„Félvezetők fizikája” változatai közötti eltérés
(→A tér-effektus és alkalmazásai) |
(→Tárgy adatok (2016 ősz)) |
||
24. sor: | 24. sor: | ||
<!--[[Kategória:Matematika Intézet]]--> | <!--[[Kategória:Matematika Intézet]]--> | ||
[[Kategória:Szerkesztő:Csontos]] | [[Kategória:Szerkesztő:Csontos]] | ||
+ | ==Tárgy adatok (2017 ősz)== | ||
+ | |||
+ | '''Tárgyfelelős:''' Dr. Simon Ferenc | ||
+ | |||
+ | '''Tanszék:''' BME Fizika Tanszék | ||
+ | |||
+ | '''Kód: BMETE11MF26''' | ||
+ | |||
+ | '''Besorolás:''' BME TTK fizikus MSC képzésben kötelezően választható tárgy | ||
+ | |||
+ | '''Követelmény:''' 2/0/0/V/3 | ||
+ | |||
+ | '''Nyelv:''' magyar | ||
+ | |||
+ | '''Előtanulmányi követelmény:''' A szilárdtestfizika alapjai (BMETE11AF05) | ||
+ | |||
+ | '''Félév végi osztályzat:''' szóbeli vizsga alapján | ||
+ | |||
+ | Tételsor: | ||
+ | |||
+ | |||
+ | |||
==Tárgy adatok (2016 ősz)== | ==Tárgy adatok (2016 ősz)== | ||
A lap 2017. december 5., 15:49-kori változata
Tárgy adatok (2017 ősz)
Tárgyfelelős: Dr. Simon Ferenc
Tanszék: BME Fizika Tanszék
Kód: BMETE11MF26
Besorolás: BME TTK fizikus MSC képzésben kötelezően választható tárgy
Követelmény: 2/0/0/V/3
Nyelv: magyar
Előtanulmányi követelmény: A szilárdtestfizika alapjai (BMETE11AF05)
Félév végi osztályzat: szóbeli vizsga alapján
Tételsor:
Tárgy adatok (2016 ősz)
Tárgyfelelős: Dr. Csontos Miklós
Tanszék: BME Fizika Tanszék
Kód: BMETE11MF26
Besorolás: BME TTK fizikus MSC képzésben kötelezően választható tárgy
Követelmény: 2/0/0/V/3
Nyelv: magyar
Előtanulmányi követelmény: A szilárdtestfizika alapjai (BMETE11AF05)
Jelenléti követelmények: Részvétel az előadások legalább 70%-án. Az előadásokon jelenléti ívet vezetünk.
Félév végi osztályzat: szóbeli vizsga alapján
Konzultációk: előzetes bejelentkezés alapján
Tematika
Bevezetés
A félvezetõ fizika jelentõsége, modern alkalmazások, az elektronika határai.
Töltéshordozók félvezetőkben
Kristályszerkezet és szimmetriák, elektronok statisztikája a kristályrácsban, Bloch állapotok, sávszerkezet, envelope function. Rácshibák, szennyezõ atomok, lokalizált állapotok. Sekély nívók, mély nívók, töltéshordozók és vezetési tartományok félvezetõkben.
Félvezetők sávszerkezete
Spin-pálya kölcsönhatás, kp közelítés.
Transzport jelenségek hõmérsékleti egyensúlyban
Kváziklasszikus dinamika, effektív tömeg közelítés, Boltzmann-egyenlet, transzport külsõ terekben, vezetõképesség, Hall-effektus, mágneses ellenállás egy és több sáv esetén. Termoelektromos és termomágneses jelenségek.
Diffúziós jelenségek félvezetõkben
Inhomogén félvezetõk, diffúzió, Einstein reláció, vezetési jelenségek. Transzport instabilitások, Gunn dióda. p-n átmenet, Zener dióda, alagút dióda, bipoláris tranzisztorok, JFET.
Félvezetõk elõállítása és minõsítése
Hagyományos és epitaxiális növesztési eljárások, minõsítõ technikák, rácsillesztés, band-engineering, heteroszerkezetek, szuperrácsok, nagy mobilitású 2 dimenziós elektrongáz és nagyfrekvenciás alkalmazásai, HEMT.
Félvezetõ nanostruktúrák elõállítása
Önszervezõdõ növekedés, növesztés elõre definiált szubsztrátokra, cleaved edge overgrowth, nanovezetékek epitaxiális növesztése, optikai- és elektronsugaras litográfia, split-gate technológia, AFM litográfia.
A tér-effektus és alkalmazásai
Felületi állapotsûrûség, távoli dópolás, Schottky barrier, Schottky dióda, Ohmikus kontaktusok, MOS szerkezetek, High-k dielektrikumok, flash memóriák, napelemek, CCD eszközök. A CMOS technológia alapjai és a miniatürizáció kihívásai. FinFET.
Félvezetõk optikai tulajdonságai
Kölcsönhatások fénnyel, fotovezetés, szabad töltéshordozók abszorpciója. Rekombinációs mechanizmusok: sugárzásos rekombináció, rekombináció nívón keresztül. Világító dióda (LED) és félvezetõ lézerek elve, felépítése, mûködése és alkalmazásai, kék LED.
Ajánlott irodalom
- Sólyom Jenő: A modern szilárdtestfizika alapjai II. (16, 20, 24, 25, 27. fejezetek)
- Thomas Ihn: Semiconductor Nanostructures (1-7. és 9. fejezetek)
- Thomas Heinzel: Mesoscopic Electronics in Solid State Nanostructures (3-4. fejezetek)
- L. A. Coldren and S. W. Corzine: Diode Lasers and Photonic Integrated Circuits (1-4 fejezetek)
- J. Singh: Electronic and Optoelectronic Properties of Semiconductor Structures (9. fejezet)
- Az előadások anyagaiban szereplő folyóirat referenciák