„Félvezetők fizikája” változatai közötti eltérés

A lap 2012. augusztus 22., 14:44-kori változata (lapforrás) Csontos (vitalap | szerkesztései) (→‎Tárgy adatok (2011 ősz)) ← Régebbi szerkesztés		A lap 2012. augusztus 22., 14:56-kori változata (lapforrás) Csontos (vitalap | szerkesztései) (→‎Tematika) Újabb szerkesztés →
45. sor:		45. sor:
	== Tematika==		== Tematika==
		+
		+	==[[media:xxx.pdf|Bevezetés]]===
		+
		+	A félvezetõ fizika jelentõsége, modern alkalmazások, az elektronika határai.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|A szilárdtestfizikai alapok áttekintése I.]]===
		+
		+	Kristályszerkezet és szimmetriák, elektronok statisztikája a kristályrácsban, Bloch állapotok, sávszerkezet, envelope function. Rácshibák, szennyezõ atomok, lokalizált állapotok. Sekély nívók, mély nívók, töltéshordozók és vezetési tartományok félvezetõkben.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|A szilárdtestfizikai alapok áttekintése II.]]===
		+
		+	Spin-pálya kölcsönhatás, kp közelítés.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|Transzport jelenségek hõmérsékleti egyensúlyban]]===
		+
		+	Kváziklasszikus dinamika, effektív tömeg közelítés, Boltzmann-egyenlet, transzport külsõ terekben, vezetõképesség, Hall-effektus, mágneses ellenállás egy és több sáv esetén. Transzport instabilitások. Termoelektromos és termomágneses jelenségek.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|Diffúziós jelenségek félvezetõkben]]===
		+
		+	Inhomogén félvezetõk, diffúzió, Einstein reláció, vezetési jelenségek. Eltérések a hõmérsékleti egyen\-súly\-tól. Gunn dióda, p-n átmenet, Zener dióda, alagút dióda, bipoláris tranzisztorok, JFET.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|Félvezetõk elõállítása és minõsítése]]===
		+
		+	Hagyományos és epitaxiális növesztési eljárások, minõsítõ technikák, rácsillesztés, band-engineering, he\-te\-ro\-szerkezetek, szuperrácsok, nagy mobilitású 2 dimenziós elektrongáz és nagyfrekvenciás alkalmazásai, HEMT.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|Félvezetõ nanostruktúrák elõállítása]]===
		+
		+	Önszervezõdõ növekedés, növesztés elõre definiált szubsztrátokra, cleaved edge overgrowth, nanovezetékek epitaxiális növesztése, optikai- és elektronsugaras litográfia, split-gate technológia, AFM litográfia.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|A tér-effektus és alkalmazásai]]===
		+
		+	Felületi állapotsûrûség, távoli dópolás, Schottky barrier, Schottky dióda, Ohmikus kontaktusok, MOS szer\-ke\-ze\-tek, High-k dielektrikumok, flash memóriák, napelemek, CCD eszközök. A CMOS technológia alapjai és a miniatürizáció kihívásai.
		+
		+	===[[Media:xxx.pdf|Félvezetõk optikai tulajdonságai]]===
		+
		+	Kölcsönhatások fénnyel, fotovezetés, szabad töltéshordozók abszorpciója. Rekombinációs mechanizmusok: sugárzásos rekombináció, rekombináció nívón keresztül.
		+	Világító dióda (LED) és félvezetõ lézerek elve, felépítése, mûködése és alkalmazásai.

---

A lap 2012. augusztus 22., 14:56-kori változata

Tartalomjegyzék 1 Tárgy adatok (2012 ősz) 2 Tematika 3 Bevezetés= 3.1 A szilárdtestfizikai alapok áttekintése I. 3.2 A szilárdtestfizikai alapok áttekintése II. 3.3 Transzport jelenségek hõmérsékleti egyensúlyban 3.4 Diffúziós jelenségek félvezetõkben 3.5 Félvezetõk elõállítása és minõsítése 3.6 Félvezetõ nanostruktúrák elõállítása 3.7 A tér-effektus és alkalmazásai 3.8 Félvezetõk optikai tulajdonságai

Tárgy adatok (2012 ősz)

Tárgyfelelős: Dr. Csontos Miklós

Tanszék: BME Fizika Tanszék

Kód: BMETE11MF26

Besorolás: BME TTK fizikus MSC képzésben kötelezően választható tárgy

Követelmény: 2/0/0/V/3

Nyelv: magyar

Jelenléti követelmények: Részvétel az előadások legalább 70%-án

Félév végi osztályzat: szóbeli vizsga alapján

Konzultációk előzetes bejelentkezés alapján

Tematika

Bevezetés=

A félvezetõ fizika jelentõsége, modern alkalmazások, az elektronika határai.

A szilárdtestfizikai alapok áttekintése I.

Kristályszerkezet és szimmetriák, elektronok statisztikája a kristályrácsban, Bloch állapotok, sávszerkezet, envelope function. Rácshibák, szennyezõ atomok, lokalizált állapotok. Sekély nívók, mély nívók, töltéshordozók és vezetési tartományok félvezetõkben.

A szilárdtestfizikai alapok áttekintése II.

Spin-pálya kölcsönhatás, kp közelítés.

Transzport jelenségek hõmérsékleti egyensúlyban

Kváziklasszikus dinamika, effektív tömeg közelítés, Boltzmann-egyenlet, transzport külsõ terekben, vezetõképesség, Hall-effektus, mágneses ellenállás egy és több sáv esetén. Transzport instabilitások. Termoelektromos és termomágneses jelenségek.

Diffúziós jelenségek félvezetõkben

Inhomogén félvezetõk, diffúzió, Einstein reláció, vezetési jelenségek. Eltérések a hõmérsékleti egyen\-súly\-tól. Gunn dióda, p-n átmenet, Zener dióda, alagút dióda, bipoláris tranzisztorok, JFET.

Félvezetõk elõállítása és minõsítése

Hagyományos és epitaxiális növesztési eljárások, minõsítõ technikák, rácsillesztés, band-engineering, he\-te\-ro\-szerkezetek, szuperrácsok, nagy mobilitású 2 dimenziós elektrongáz és nagyfrekvenciás alkalmazásai, HEMT.

Félvezetõ nanostruktúrák elõállítása

Önszervezõdõ növekedés, növesztés elõre definiált szubsztrátokra, cleaved edge overgrowth, nanovezetékek epitaxiális növesztése, optikai- és elektronsugaras litográfia, split-gate technológia, AFM litográfia.

A tér-effektus és alkalmazásai

Felületi állapotsûrûség, távoli dópolás, Schottky barrier, Schottky dióda, Ohmikus kontaktusok, MOS szer\-ke\-ze\-tek, High-k dielektrikumok, flash memóriák, napelemek, CCD eszközök. A CMOS technológia alapjai és a miniatürizáció kihívásai.

Félvezetõk optikai tulajdonságai

Kölcsönhatások fénnyel, fotovezetés, szabad töltéshordozók abszorpciója. Rekombinációs mechanizmusok: sugárzásos rekombináció, rekombináció nívón keresztül. Világító dióda (LED) és félvezetõ lézerek elve, felépítése, mûködése és alkalmazásai.