Kvantált Hall-jelenség

A Fizipedia wikiből
A lap korábbi változatát látod, amilyen Magyarkuti (vitalap | szerkesztései) 2013. február 20., 21:49-kor történt szerkesztése után volt.

(eltér) ←Régebbi változat | Aktuális változat (eltér) | Újabb változat→ (eltér)

Tartalomjegyzék

Klasszikus Hall-effektus


A Hall effektust 1879 Edwin Hall fedezte fel. A jelenség lényege, hogy ha egy síkszerű elektromos vezetőben áram folyik, és vezető síkjára merőleges mágneses teret kapcsolunk, akkor a vezető két oldala között az elektronokra ható Lorentz erő miatt feszültség jelenik meg.

A Hall jelenséget általában az 1. ábrán bemutatott Hall elrendezésben szokták márni. Az elektromos vezetékre hat kontaktust helyeznek. Az x irányú \setbox0\hbox{$I$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% áram az 1. és 4. kontaktus között folyik. Ha a mérést zérus mágneses térben végezzük, akkor a 2. és 6. kontaktus között (y irányban) nem mérünk feszültséget. A 2. és 3. kontaktus között mért \setbox0\hbox{$V_{xx}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% longitudinális feszültség és az áram arányából pedig a minta négypont ellenállását kapjuk meg. A minta síkjára merőleges (z irányú) mágneses tere kapcsolva a 2. és 6. kontaktus között \setbox0\hbox{$V_H$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% Hall feszültség jelenik meg, melynek az értéke a mágneses tér nagyságával lineárisan változik. A 2. és 3. kontaktus között (kismértékű mágneses ellenállástól eltekintve) továbbra is zérus térben tapasztalt longitudinális ellenállást mérjük.

Hall-ellenállás

A Hall jelenség jól leírható klasszikus, Drude közelítésben. Az egyszerűség kedvéért számoljunk két dimenzióban. Az elektronok \setbox0\hbox{$m\cdot v$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% impulzusának idő szerinti deriváltját az elektronokra ható erők összegeként kapjuk meg. A \setbox0\hbox{$-eE$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% elektromos illetve \setbox0\hbox{$-ev\times B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% Lorentz erő mellett figyelembe vesszük azt is hogy a a kristályban történő szóródások következtében az elektronok átlagosan \setbox0\hbox{$\tau$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% relaxációs idő alatt elveszítik impulzusukat:

\[m \frac{dv}{dt}=-eE-ev \times B - m \frac{v}{\tau}, \;\;\;\]

A sebesség helyett vezessük be a \setbox0\hbox{$j=-e n_{2D} v$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% áramsűrűséget, ahol \setbox0\hbox{$n_{2D}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% az elektronok (kétdimenziós) sűrűsége. Az egyenletet átrendezve az alábbi mátrixegyenletet kapjuk az elektromos tér és az áramsűrűség komponensei között:

\[\left( \begin{array}{c} E_x \\ E_y \end{array} \right) = \left( \begin{array}{cc} m/e^2 n_{2D} \tau & B/e n_{2D} \\ -B/e n_{2D} & m/e^2 n_{2D} \tau \end{array} \right) \left( \begin{array}{c} j_x \\ j_y \end{array} \right) = \left( \begin{array}{cc} \rho_{xx} & \rho_{xy} \\ \rho_{yx} & \rho_{yy} \end{array} \right) \left( \begin{array}{c} j_x \\ j_y \end{array} \right).\]

X irányú áramot folyatva és x irányú feszültséget mérve a minta longitudinális ellenállását a \setbox0\hbox{$rho_{xx}=m/e^2 n_{2D} \tau$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% fajlagos ellenállásból kaphatjuk meg a geometriai faktorokkal történő skálázás után.

A fenti számolásból jól látszik, hogy véges mágneses térben x irányú áram esetén y irányú feszültség is megjelenik. A Hall ellenállás a 2. és 6. kontaktusok között megjelenő \setbox0\hbox{$V_H$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% Hall feszültség és az \setbox0\hbox{$I$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% áram hányadosaként definiáljuk. Kétdimenzióban ez megegyezik az y irányú elektromos tér és az x irányú áramsűrűség arányával:

\[R_H=\frac{V_H}{I}=\frac{E_y}{j_x}=\rho_{yx}=-\frac{B}{e n_{2D}}\]

Egyszerű számolásunkból jól látszik, hogy a Hall ellenállás a \setbox0\hbox{$B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% mágneses térrel egyenesen arányos, és ezen kívül csak az elektronok sűrűségétől függ, azaz az \setbox0\hbox{$\tau$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% relaxációs idő a longitudinális ellenállástól eltérően a Hall ellenállásban nem jelenik meg. Ennek köszönhetően a Hall ellenállás mérés általánosan bevett módszer félvezetők elektronsűrűségének mérésére. Érdemes megjegyezni, hogy \setbox0\hbox{$p$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-típusú félvezetőken, azaz amikor az áramot nem elektronok, hanem lyukak vezetik, a Hall ellenállás előjelet vált. A Hall jelenséget -amellett hogy a szilárdtestfizika alapvető mérési módszerei közé tartozik- a hétköznapokban is gyakran használjuk különböző elektronikai eszközökben elhelyezett mágneses tér szenzorok formájában.

Hall jelenséget elsősorban félvezetőkben szoktak tanulmányozni, hiszen az alacsony elektronsűrűség miatt a Hall ellenállás viszonylag könnyen mérhető. Fémekben a nagy elektronsűrűség miatt a Hall ellenállás értéke sokkal kisebb, de precíziós műszerekkel fémekben is vizsgálható a Hall jelenség, ahogy erről a fizikus hallgatók maguk is meggyőződhetnek a ?? c. hallgatói mérés során.

Kvantált Hall-effektus

Klaus von Klitzing meglepő felfedezése


A Hall jelenséget megfelelően nagy tisztaságú kétdimenziós elektrongázban (2DEG) és elegendően nagy mágneses térben vizsgálva nagyon meglepő jelenséget tapasztalunk. A Hall ellenállás a lineáris térfüggés helyett lépcsőszerűen változik, a longitudinális ellenállás pedig zérus értéket vesz fel (\setbox0\hbox{$V_{xx}=0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%) azokban a mágneses tér tartományokban, ahol a Hall ellenállás vízszintes platót mutat (lásd ??? ábra).

IQHE

A kvantált Hall ellenálás értékeket egy univerzális állandó és egy egész szám hányadosaként kapjuk meg:

\[R_H=\frac{h}{e^2 n}, \;\;\;n=0,1,2,\dots,\]

ami a spin degeneráció miatti 2-es szorzótól eltekintve a vezetőképesség kvantálás képletének felel meg. A tapasztlatok szerint a kvantált \setbox0\hbox{$R_H$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% értékek függetlenek a minta alakjától, méretétől, anyagától, és \setbox0\hbox{$R_H$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kísérletileg meghatározott értékei akár \setbox0\hbox{$10^{-7}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% pontossággal leírhatók a fenti egyszerű képlettel, azaz a kvantált Hall platók ellenállás standardként is jól használhatók.

A kvantált Hall jelenséget Klaus von Klitzing fedezte fel 1980-ban. Pár évvel később (1985-ben) felfedezését Nobel díjjal jutalmazták.

A következő Nobel díj: tört számű kvantált Hall-effektus


A kvantált Hall-jelenség felfedezése óriási érdeklődést váltott ki, és nem kellett sokat várni újabb meglepő kísérleti eredményekre. [Daniel Tsui] és [Horst Störmer] kísérletei 1982-ben megmutatták, hogy még tisztább kétdimenziós elektrongázban és még nagyobb mágneses térben a Hall ellenállás

\[R_H=\frac{h}{e^2 \nu},\;\;\; \nu=\frac{p}{q}, \;\;\; p,q=0,1,2,\dots\]

értékeket vehet fel, ahol \setbox0\hbox{$\nu$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% már nem egész szám, hanem bizonyos egész számok hányadosa. A Hall platók tartományában a longitudinális feszültség továbbra is zérus, \setbox0\hbox{$V_{xx}=0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%.

A későbbiekben látni fogjuk, hogy Klaus von Klitzing felfedezése, az egész számú kvantált Hall-effektus (IQHE, integer quantum Hall effect) egy viszonylag egyszerű modellel magyarázható, melyben az elektronok kölcsönhatását nem kell figyelembe venni. Ezzel szemben Tsui és Störmer méréseiben tapasztalt tört számú kvantált Hall-effektus (FQHE, fractional quantum Hall effect) magyarázatában az elektronok kölcsönhatása fontos szerepet kap, a jelenség úgynevezett kompozit fermion részecskék bevezetésével írható le.

Tsui és Störmer kísérleti felfedezését, illetve Robert Laughlin kísérletekre adott elméleti magyarázatát 1998-ban Nobel díjjal jutalmazták.

A harmadik Nobel-díj: anomális kvantált Hall-effektus grafénban


A kvantált Hall-effektus egy közelmúltban kiosztott Nobel díjjal kapcsolatban is előtérbe került. 2010-ben Andre Geim és Konstantin Novoselov grafénon, azaz egyetlen grafit síkon végzett kísérleteit jutalmazták Nobel díjjal, melynek keretében alapvető jelentőségű volt a grafénon tapasztalható anaomális kvantált Hall-jelenség megmutatása. Grafénon a Hall ellenállás az elektrosztatikus potenciáltól függően egyaránt lehet pozitív és negatív, a kvantált értékek pedig

\[R_H=\pm\frac{h}{e^2}\frac{1}{4(m+1/2)}, \;\;\; m=0,1,2,\dots \]

képlet segítségével írhatók le.

A továbbiakban az egész számú kvantált Hall jelenség leírását szemléltetjük. A grafén fizikájáról egy külön fejezetben adunk részletes leírást. Előadások: IQHE: ujkisnano, Mezo I. FQHE: komplexnano, Mezo I (v. II?) grafén QHE: komplexno


Kétdimenziós elektrongáz mágneses térben, Landau-nívók


Vizsgáljuk egy kétdimenziós szabad elektrongáz viselkedését a 2DEG síkjára merőleges mágneses térben!

2DEG

Klasszikusan az elektronok ciklotronpályákon mozognak \setbox0\hbox{$\omega_c=\frac{eB}{m}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% körfrekvenciával, azaz a körfrekvencia nem függ az elektronok sebességétől, csak a mágneses tértől.

\[e v B = e \omega r B = m \omega^2 r.\]

A körpálya sugara klasszikusan tetszőleges lehet az elektron sebességétől függően, kvantummechanikai tárgyalásban viszont a körpálya sugarának (illetve a mozgás energiájának) kvantáltságát várjuk. A Bohr - Sommerfeld kvantálási feltétel alapján meghatározhatjuk a lehetséges legkisebb sugarat (ciklotronsugár):

\[2 \pi r_c = \lambda = \frac{2 \pi \hbar}{p} = \frac{2 \pi \hbar}{m \omega_c r} \;\; \Longrightarrow \;\; r_c=\sqrt{\frac{\hbar}{m\omega_c}}.\]

A kvantummechanikai viselkedés részletesebb leírásához oldjuk meg a rendszer Schrödinger egyenletét. A Hamilton operátor:

\[\hat{H}=\frac{1}{2}m(\hat{v}_x^2+\hat{v}_y^2),\]

ahol a sebességoperátor a \setbox0\hbox{$\hat{v}_i=(\hat{p}_i+e\hat{A}_i)/m$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% képlettel származtatható a kanonikus impulzus operátorból, illetve a vektorpotenciálből. A minta síkjára (x,y) merőleges (z irányú) B térnél a vektorpotenciál az általánosság megszorítása nélkül vehető úgy, hogy csak x és y komponenssel rendelkezzen, azaz \setbox0\hbox{$A=(A_x(x,y),\;A_y(x,y))$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%.

Számoljuk ki a sebességoperátor x és y komponensének az kommutátorát!

\[[\hat{v}_x,\hat{v}_y]=\frac{1}{m^2}[\hat{p}_x+e\hat{A}_x,\;\hat{p}_y+e\hat{A}_y]=\frac{\hbar e}{i m^2}\left([\partial_x,A_y]+[A_x,\partial_y] \right)=\frac{\hbar e}{i m^2}\left(\frac{\partial A_y}{\partial x}-\frac{\partial A_x}{\partial y}\right)=\frac{\hbar e B}{i m^2},\]

azaz:

\[[\hat{v}_x,\hat{v}_y]=\frac{\alpha}{i},\;\;\;\alpha=\frac{\hbar \omega_c}{m}.\]

Vezessünk be új operátorokat: \setbox0\hbox{$\hat{a}=(i\hat{v}_x+\hat{v}_y)/\sqrt{2 \alpha},\;\;\; \hat{a}^+=(-i\hat{v}_x+\hat{v}_y)/\sqrt{2 \alpha}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%. Az új operátorok segítségével a Hamilton operátor

\[\hat{H}=\hbar \omega_c \left(\hat{a}^+\hat{a}+\frac{1}{2}\right)=\frac{1}{2}\hbar \omega_c + \frac{\hbar \omega_c}{2 \alpha}(\hat{v}_x^2+\hat{v}_y^2-i\hat{v}_x\hat{v}_y+i\hat{v}_x\hat{v}_y)=\frac{1}{2}m(\hat{v}_x^2+\hat{v}_y^2)\]

formában írható fel, a két új operátor kommutátora pedig:

\[[\hat{a},\hat{a}^+]=\frac{1}{2 \alpha}[i\hat{v}_x+\hat{v}_y, -i\hat{v}_x+\hat{v}_y]=1\]

Látszik, hogy az új operátorok segítségével az egydimenziós harmonikus oszcillátor problémájára vezettük vissza a Schrödinger egyenletet, így további számolás nélkül megállapíthatjuk, hogy a mágneses térben mozgó elektronok lehetséges energiái a harmonikus oszcillátorhoz hasonlóan kvantáltak:

\[E=\hbar \omega_c (n+\frac{1}{2}).\]

A kvantált energiaszinteket Landau nívóknak hívjuk.

Landau nívók

Ahogy a ?? ábra mutatja, a mágneses tér bekapcsolása alapvetően megváltoztatja az elektronok állapotsűrűségének energia szerinti eloszlását. Mágneses tér nélkül az elektronok állapotsűrűsége konstans (energiafüggetlen), \setbox0\hbox{$g(\epsilon)=2\frac{A m}{2 \pi \hbar^2}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%. Nagy mágneses térben csak a kvantált Landau szinteken helyezkedhetnek el elektronok, ezek a diszkrét energiaszintek viszont szükségszerűen sokszorosan degenerált állapotok. D-szeres degenerációt feltételezve az állapotsűrűség: \setbox0\hbox{$g(\epsilon)=D \delta(\epsilon-\hbar \omega_c(n+\frac{1}{2}))$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%. Mivel az elektronok száma a mágneses tér bekapcsolásával nem változik, így feltételezhető hogy egy Landau szinten levő állapotok zérus térben \setbox0\hbox{$\hbar \omega_c$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% szélességű energiatartományban helyezkednek el. Így egy Landau szint degenerációja (a spin szerinti degenerációt is figyelembe véve):

\[D=\hbar \omega_c 2 \frac{A m}{2 \pi \hbar^2}=\frac{2 e B A}{h} \;\; \Longrightarrow \;\; D=\frac{2 \Phi}{\Phi_0}, \Phi_0=\frac{h}{e}\]

Így egy teljesen betöltött Landau szinten az elektronsűrűség: \setbox0\hbox{$n=\frac{2 e B}{h}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%

A Landau szintek magasfokó degenerációja mögött szemléletesen az áll, hogy egy ciklotronsugárnak megfelelő tipikus kiterjedésű elektronállapotot a minta \setbox0\hbox{$A$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% felületén összesen\setbox0\hbox{$N\approx 2A/r_c^2\pi$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% különböző helyre tehetünk le (a spin szerinti degenerációt is figyelembe véve). Ez alapján kis átalakítással \setbox0\hbox{$N=4\Phi/\Phi_0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% adódik, ahol \setbox0\hbox{$\Phi=B A$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, a teljes fluxus, \setbox0\hbox{$\Phi_0=h/e$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% pedig a fluxuskvantum, azaz naív számolásunkkal egy egy kettes szorzó eltéréssel visszakaptuk a Landau nívók fent kiszámolt degenerációs fokát.

Megjegyzés: a fenti állapotsűrűséges argumentum abból a feltételezésből indul ki, hogy az egyes Landau szintek egyformán degeneráltak. Az egyes landau szintek degenerációjának fokát pontosabban kiszámolhatjuk egy konkrét mértéket választva az ún. Landau mértékben. Ez a számolás is megerősíti a fenti, állapotsűrűségek összevetéséből kapott eredményt. Mivel kifejezetten tanulságos az itt ismertetett mértékinvariáns tárgyalásmódot összevetni a Landau mértékben elvégzett számolással, ezért az utóbbit vázlatosan a ?? függelékben ismertetjük.

Landau szintek megfigyelésének feltételei:

  • Az elektron sokszor végig tudja járja a cikl. pályát két szórás között:

\setbox0\hbox{$\omega_c >> \frac{1}{\tau} \;\; \Leftrightarrow \;\; B >>\frac{1}{\mu} \;\;\;\;\mu=\frac{e \tau}{m} \;\; \Rightarrow$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% nagy B tér, elegendően nagy tisztaság.

  • \setbox0\hbox{$\hbar \omega_c >> k_B T,\; eV$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% alacsony hőmérséklet!)
  • kevés Landau szint legyen betöltve, kis e sűrűség.

Ciklotron pályák középpontjának mozgása

ciklotron pályák középpontja

Nagy mágneses térben azt várjuk, hogy az elektronok egy középponti \setbox0\hbox{$r$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kordináta körül nagyon kis, \setbox0\hbox{$\approx r_c$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% sugarú ciklotronmozgást végeznek. Klasszikusan az elektron éppen aktuális \setbox0\hbox{$r$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% helyzetét \setbox0\hbox{$r = r_0 + \Delta r$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% alakban írhatjuk, ahol \setbox0\hbox{$\Delta r$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% a középpontból az aktuális ponta mutató vektor. Körmozgás esetén az elektront körpályán tartó centripetális erőt \setbox0\hbox{$F_{cp} = -m\omega^2\Delta r = - e v \times B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% alakban írhatunk, ami jelen esetben értelemszerűen a Lorentz erővel egyezik meg. Ez alapján a körpálya középpontját formálisan

\[r_0 = r-\frac{e}{m \omega^2} v \times B\]

alakban írhatjuk.

Játsszunk el a gondolattal, hogy az \setbox0\hbox{$r_0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% koordinátát kvantummechanikai tartalommal ruházzuk fel a ciklotronpályák középpontjának helyét leíró operátorként. Komponensenként kifejtve:

\[\hat{x}_0=\hat{x}-\frac{\hat{v}_y}{\omega_c},\;\; \hat{y}_0=\hat{y}-\frac{\hat{v}_x}{\omega_c}\]

Vizsgáljuk meg, hogy a középponti koordináta várható értéke hogyan változik az idő függvényében:

\[\frac{d}{d t}\langle\hat{x}_0\rangle = \frac{i}{\hbar} \langle[\hat{H},\hat{x}]\rangle - \frac{i m}{2\hbar\omega_c} \langle[\hat{v}^2_x+\hat{v}^2_y,\hat{v}_y]\rangle = \hat{v}_x - \frac{i m}{2\hbar\omega_c} \langle[\hat{v}^2_x,\hat{v}_y]\rangle = 0,\]
és hasonlóan:
\[\frac{d}{d t}\langle\hat{y}_0\rangle = 0,\]

azaz a várakozásoknak megfelelően a ciklotronpályák középpontja nem mozog.

Érdemes kiszámolni a középponti koordináták operátorainak kommutátorát is:

\[[\hat{y}_0,\hat{x}_0] = \left[\hat{y} + \frac{\hat{v}_x}{\omega_c}, \hat{x} - \frac{\hat{v}_y}{\omega_c} \right] = -\left[\hat{y}, \frac{\hat{p}_y}{m \omega_c} \right] + \left[\frac{\hat{p}_x}{m \omega_c}, \hat{x}\right] - \left[ \frac{\hat{v}_x}{\omega_c}, \frac{\hat{v}_y}{\omega_c} \right] = \frac{\hbar}{i m \omega_c} = \frac{r_c^2}{i}\]

Tetszőleges két fizikai mennyiség operátorára fenn áll az általános Heisenberg féle határozatlansági reláció, azaz:

\[\Delta A \cdot \Delta B \geq \frac{1}{2}|\langle[ \hat{A}, \hat{B} ]\rangle|\]

Ezt az összefüggést a középponti koordináta két komponensének operátorára vonatkoztatva

\[\Delta x_0 \cdot \Delta y_0 \geq \frac{r^2_c}{2}\]

adódik, azaz a ciklotronpálya középpontjának x és y írányú kvantummechanikai bizonytalanságát összeszorozva pont az \setbox0\hbox{$r_c$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% ciklotronsugár négyzete köszön vissza, egy elektron legalább \setbox0\hbox{$r_c^2/2$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% helyet foglal. Ez alapján körszimmetrikus hullámfüggvényt feltételezve a ciklotron pályák x és y irányban is \setbox0\hbox{$\approx r_c$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kiterjedésűek.

Megjegyzés: Landau mérték választása esetén x irányban végtelen kiterjedést, y irányban pedig \setbox0\hbox{$\ll r_c$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kiterjedést kapunk, lásd függelék.

Bezáró és random potenciál

Az eddigiekben a Schrödinger egyenletben csak az elektronok kinetikus energiáját vettük figyelembe.

Valós minta: a minta széleinél jelentkező bezáró potenciált, és a minta belsejében jelen levő véletlen potenciált is figyelembe kell venni:

\[\hat{H} = \hat{H}_0 + \hat{U} = \hat{H}_0 + \hat{U}_{bezaro} + \hat{U}_{random}\]

Az U potenciált perturbációként kezelve:

\[E=\hbar \omega_c (n+\frac{1}{2}) + \langle \Psi | U | \Psi \rangle \approx E=\hbar \omega_c(n+\frac{1}{2}) + U(x_0,y_0)\]

Ha \setbox0\hbox{$U$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% lassan változik \setbox0\hbox{$y$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kiterjedéséhez, \setbox0\hbox{$r_c$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-hez képest (nagy \setbox0\hbox{$B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%)

Elektron-mozgás a potenciálban: gyors ciklotronmozgás (\setbox0\hbox{$ \sim r_c^2 qsim 1/B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kiterjedéssel) + \setbox0\hbox{$x_0, y_0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% lassú driftje. Mozgásegyenletek \setbox0\hbox{$x_0, y_0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-ra:

\[\frac{d}{d t}\langle\hat{x}_0\rangle = \frac{i}{\hbar} \langle[\hat{H},\hat{x}_0]\rangle = \frac{i}{\hbar} \langle[\hat{H}_0,\hat{x}_0]\rangle + \frac{i}{\hbar} \langle[\hat{U},\hat{x}_0]\rangle = - \frac{i}{\hbar m \omega_c} \langle[\hat{U},\hat{p}_y]\rangle = - \frac{1}{m \omega_c} \langle[U,\partial_x]\rangle = \frac{1}{e B} \langle\frac{\partial U}{\partial y}\rangle \approx \frac{1}{e B} \frac{\partial U(x_0,y_0)}{\partial y_0}\]

Hasonlóan:

\[\frac{d}{d t}\langle\hat{y}_0\rangle = -\frac{1}{e B} \langle\frac{\partial U}{\partial x}\rangle \approx -\frac{1}{e B} \frac{\partial U(x_0,y_0)}{\partial x_0}\]

A potenciál változása a pálya mentén:

\[\frac{d U}{d t}=\frac{\partial U}{\partial x_0} \cdot \dot{x}_0 + \frac{\partial U}{\partial y_0} \cdot \dot{y}_0 = \frac{c}{e H} \left( \frac{\partial U}{\partial x_0} \frac{\partial U}{\partial y_0} - \frac{\partial U}{\partial y_0} \frac{\partial U}{\partial x_0} \right) = 0\]

\setbox0\hbox{$x_0, y_0$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% ekvipotenciális felületek mentén mozog!


Egyetlen Landau nívó


Csak a minta szélén vannak állapotok a Fermi energiánál, csak itt folyhat áram!

A minta felső szélénél:

\[\dot{x}_0=\frac{1}{e B} \frac{\partial U_{bezaro}}{\partial y_0} > 0 \longrightarrow \text{pozitív x irányú mozgás.}\]

Hasonlóan a minta alsó szélénél negatív x irányú mozgás.

A minta közepében tiltott sáv a Fermi energiánál, a felső "élállapotok" nem tudnak átszoródni az alsó élállapotokba!

A minta felső részén haladó elektronok mind az 1. elektródából jönnek \setbox0\hbox{$\mu_1$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kémiai potenciállal, az alsó élnél pedig a 2. elektródából \setbox0\hbox{$\mu_2$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kémiai potenciállal!

\[V_{xx}=0,\;\; V_H=(\mu_1-\mu_2)/e\]

Egy élállapot d\setbox0\hbox{$\epsilon$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% szélességű tartományának járuléka az áramhoz:

\[I=j \mathrm{d} y = n e v \mathrm{d} y = \frac{2 e}{h} \mathrm{d} \epsilon\]
\[n=\frac{2 e B}{h},\;\; v=\frac{1}{e B}\frac{\mathrm{d} \epsilon}{\mathrm{d} y}\]
Bezaropot

\setbox0\hbox{$\mu_1-\mu_2=e V$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% esetén felső állapotok \setbox0\hbox{$e V$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-vel nagyobb energiáig vannak betöltve,mint az alsók, így az eredő áram:

\[I=\frac{2 e}{h} e V \longrightarrow G_H=\frac{I}{V_H}=\frac{2 e^2}{h}\]
\[R_H=\frac{V_H}{I}=\frac{h}{2 e^2}\]
Bezaropot


Több Landau nívó, Zeeman felhasadás


Eddig a spint kihagytuk a tárgyalásból; a \setbox0\hbox{$B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% tér Zeeman-felhasadást hoz létre \downarrow, \uparrow spinű elektron állapotok között:

\[E=\hbar \omega_c (n+\frac{1}{2})+U_{bezaro} + g \mu_B B S_z\]

Félvezetőkben \setbox0\hbox{$\hbar \omega_c >> g \mu_B B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% (\setbox0\hbox{$\hbar \omega_c [K] = 20 B [T],\;\; g \mu_B B [K] = 0.3 \cdot B [T]$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%), de ha a B tér elegendően nagy akkor Landau-szintek \downarrow és \uparrow spinű elektronjai elkülönült energiaszinteket tudnak létrehozni, ezek a spin polarizált Landau-szintek.

Energia szintek spin szerinti kettéválása esetén az élállapotokra tett megfontolások nem változnak; egyetlen különbség, hogy a spinre összegző 2x faktort el kell hagyni az áram számolásánál!

Ha a Fermi energia alatt M db. spin polarizált Landau szint található, és az élektől távol a Fermi energia két Landau szint közé esik:

\[G_H=\frac{I}{V_H}=\frac{e^2}{h} M,\;\; R_H=\frac{h}{e^2}\frac{1}{M}\]

Ezt látjuk a mérésekben! \setbox0\hbox{$R_H$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% relatív pontossága \setbox0\hbox{$\sim 10^{-7} \rightarrow$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% ez a visszaszórás hiányának tökéletességét mutatja.

Klasszikus kép: az élek mentén hiába szóródik szennyezőkön egy elektron, az 1. elektródából induló elektron végül mindig a 2. elekródába érkezik!

Klasszikus kép


EF helyzete



Az eddigi érvelés nem igaz akkor, ha a Fermi energia pont egy Landau szintnél van, hiszen ekkor a Landau szinten keresztül átszóródhatnak az elektronok a két él között!

Mikor esik EF két Landau-nívó közé? 1/B növelésével egymás után töltjük be a spinpolarizált Landau szinteket. A Landau szintek óriási degenerációja miatt a Fermi energia szinte mindig az egyik Landau szintre esik, kivéve amikor éppen egy teljesen betöltött és egy betöltetlen Landau szint közötti élállapotokat töltünk fel. Az élállapotok száma azonban elhanyagolható a Landau-szintek belső állapotainak számához képest!


Eddig csak a zöld pontokat magyaráztuk meg! Ez alapján \setbox0\hbox{$G_H\sim 1/B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% lineáris függés is lehetne, nem kellene kiterjedt kvantált platókat látni!

Mi stabilizálja \setbox0\hbox{$E_F$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-et a Landau szintek közé?


Rendezetlenség szerepe



Bezáró potenciál + szennyezések


Vegyük figyelembe a szennyezések hatását egy véletlenszerűen oszcilláló potenciálként!


Minta belsejének elektronjai a szennyező potenciálban az ekvipotenciális felületek mentén mozognak \setbox0\hbox{$\longrightarrow$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% nagy részük zárt pályákra lokalizálódik, amiken keresztül nem történik átszórás a minta két szélén levő élállapotok között! A Landau-nívók viszont kiszélesednek!

\setbox0\hbox{$E_F$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% energián lévő elektronok mozgása miközben \setbox0\hbox{$E_F$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% az egyik Landau szint közepéhez tart.

\setbox0\hbox{$B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kicsi: minta szélén vezető élállapotok, a minta belsejében lokalizált elektron állapotok

\setbox0\hbox{$B$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% nagy: ha \setbox0\hbox{$E_F$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% a Landau szint közepére kerül, az ekvipotenciális felület mentén az elektron átszóródhat az egyik oldalról a másikra, a minta belsejére kiterjedt állapotokon keresztül.

Szennyezések hatása a Landau szintek állapotsűrűségére:



Lokalizált elektron állapotok feltöltése közben nincs visszaszórás \setbox0\hbox{$\longrightarrow$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% Kvantált Hall-állapot \setbox0\hbox{$\nu = $}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%egész értékek környezetében is stabilizálódik \setbox0\hbox{$\longrightarrow$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% Kvantum Hall-platók kiszélesednek.


A rendezetlenség kettős szerepe


Szennyezőknek kettős szerepük van QHE-ra, rombolják és stabilizálják is egyszerre:

  • ha a szennyező koncentráció túl nagy (\setbox0\hbox{$B \sim 1/\mu$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%) QHE eltűnik. QHE részletes vizsgálatához nagy tisztaságú 2DEG-t kellett előállítani: epitaxiálisan növesztett GaAs/AlGaAs heteroátmenet + \setbox0\hbox{$\delta$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-dópolás tette lehetővé a nagy mobilitást.
  • másrészről szennyezések által lokalizált állapotok stabilizálják a QH-platókat. A minta tökéletlensége teszi lehetővé, hogy \setbox0\hbox{$R_H=h/e^2$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% legyen a létező legpontosabb ellenállás standard. A minta tisztaságának növelésével a QH-platók egyre vékonyabbak lesznek.

Példa: FQHE méréséhez nagyobb tisztaság kell \setbox0\hbox{$\longrightarrow$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% az IQHE platók nem túl szélesek.

Egészszámú Kvantum Hall-Effektust (IQHE) egyrészecskés képben sikerült megmagyarázni:

  • delokalizált elektronokat tartalmazó Landau-nívók teljes betöltöttsége esetén
  • az élállapotokon keresztüli visszaszórás mentes transzmisszióval, és
  • rendezetlenség által lokalizált belső elektronállapotokkal


Mach-Zehnder interferométer Kvantum Hall élállapotokkal


2DEG nagy mágneses térben, úgy hogy az elektronok csak a legalsó Landau szinten, egy élállapotban tudnak propagálni.



Kapu elektródákkal hangoljuk az alsó ág trajektóriáinak hosszát, azaz az alsó ág fázisát.


\setbox0\hbox{$T=0.5$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-re állított QPC 2 felé osztja az "élcsatornát" (edge channel), mint egy féligáteresztő tükör. A source elektródába visszaverődés nincs. Egy másik \setbox0\hbox{$T=0.5$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%-re hangolt QPC-vel egyesítjük a két nyalábot. Az egyik kimenő nyalábon mérjük az interferenciajelet. A külső mágneses térrel hangoljuk az Aharonov-Bohm fázist.



Mind a mágneses tér, mind a kapu feszültség függvényében jó látszik az interferenciakép.



Forrás: J. Yang et el. Nature 422, 415 (2003)