„Magas átmeneti hőmérsékletű szupravezető fázisátalakulásának vizsgálata” változatai közötti eltérés
(Új oldal, tartalma: „__NOTOC__ == A szupravezetés elmélete dióhéjban == <wlatex> Heike Kamerlingh Onnes holland fizikus, miután 1911-ben megépítette hélium cseppfolyósító berende…”) |
(→A szupravezetés elmélete dióhéjban) |
||
1. sor: | 1. sor: | ||
__NOTOC__ | __NOTOC__ | ||
− | == A | + | == A szupravezetésről dióhéjban == |
<wlatex> | <wlatex> | ||
Heike Kamerlingh Onnes holland fizikus, miután 1911-ben megépítette hélium cseppfolyósító berendezését, elsőként végezhetett kísérleteket az abszolút nulla fokhoz igazán közeli hőmérsékleteken. Alacsony hőmérsékleti mérései pár hónapon belül nagyon meghökkentő felfedezéshez vezettek: azt találta, hogy egy higanyszál ellenállása 4,19 K hőmérséklet alatt zérusra csökken. Később kiderült, hogy számos anyag (pl. ólom, ón, alumínium) tökéletes vezetőként, úgynevezett szupvavezetőként viselkedik megfelelően alacsony hőmérsékleten. Kammerling Onnes munkáját már két évvel később, 1913-ban Nobel-díjjal jutalmazták. | Heike Kamerlingh Onnes holland fizikus, miután 1911-ben megépítette hélium cseppfolyósító berendezését, elsőként végezhetett kísérleteket az abszolút nulla fokhoz igazán közeli hőmérsékleteken. Alacsony hőmérsékleti mérései pár hónapon belül nagyon meghökkentő felfedezéshez vezettek: azt találta, hogy egy higanyszál ellenállása 4,19 K hőmérséklet alatt zérusra csökken. Később kiderült, hogy számos anyag (pl. ólom, ón, alumínium) tökéletes vezetőként, úgynevezett szupvavezetőként viselkedik megfelelően alacsony hőmérsékleten. Kammerling Onnes munkáját már két évvel később, 1913-ban Nobel-díjjal jutalmazták. |
A lap 2017. szeptember 15., 11:03-kori változata
A szupravezetésről dióhéjban
Heike Kamerlingh Onnes holland fizikus, miután 1911-ben megépítette hélium cseppfolyósító berendezését, elsőként végezhetett kísérleteket az abszolút nulla fokhoz igazán közeli hőmérsékleteken. Alacsony hőmérsékleti mérései pár hónapon belül nagyon meghökkentő felfedezéshez vezettek: azt találta, hogy egy higanyszál ellenállása 4,19 K hőmérséklet alatt zérusra csökken. Később kiderült, hogy számos anyag (pl. ólom, ón, alumínium) tökéletes vezetőként, úgynevezett szupvavezetőként viselkedik megfelelően alacsony hőmérsékleten. Kammerling Onnes munkáját már két évvel később, 1913-ban Nobel-díjjal jutalmazták.
A szupravezetés felfedezését követően közel fél évszázadot kellett várni a jelenség elméletének megszületésére (J. Bardeen, L. Cooper, R. Schiffer – 1957, Nobel-díj: 1972). Eszerint a szupravezető áramot szállító töltések különös tulajdonságokkal rendelkező elektron-párok, amelyek az egyszerű elektronoktól eltérő módon terjednek egy kristályban. Az ún. Cooper-párok viselkedésének kísérleti vizsgálata (Nobel-díj: 1973) vezetett a későbbiekben olyan alkalmazási lehetőségekre, mint a legérzékenyebb mágneses tér szenzor (SQUID) megalkotása, a világ leggyorsabb “hagyományos” számítógépeinek készítése, vagy a szupravezető nanoszerkezeteken alapuló kvantum-számítógépek perspektívája.
Onnes korai felfedezése óta a szupravezetés folyamatosan a modern fizika kiemelt témái közé tartozik. Ezt jelzi, hogy szupravezetéssel kapcsolatos elméleti vagy kísérleti munkákért a fentieken kívül 1987-ben és 2003-ban is osztottak ki Nobel-díjakat. Kiemelkedő technikai jelentőségű a magashőmérsékletű szupravezetőkért odaítélt Nobel-díj (1987), hiszen ekkor vált lehetővé, hogy a folyékony héliumnál lényegesen olcsóbb folyékony nitrogen forráspontján is elérhető legyen a szupravezetés. Az ilyen új anyagok kedvező tulajdonságai révén olyan lehetőségek is ígéretessé váltak, mint szupravezető motorok vagy távvezetékek készítése.
A szupravezető állapotban tapasztalt nulla elektromos ellenállás lehetővé teszi, hogy egy szupravezető tekercsbe áramot vezetve, majd a tápegységet kiiktatva és a tekercs végeit rövidre zárva a tekercsben keringő, akár 100 Amperes nagyságú, időben nem csillapodó áramokkal több Tesla nagyságú mágneses tereket tartsunk fenn további külső meghajtás nélkül. Napjainkban ezt az elvet használják ki a mágnesesen lebegtetett vonatok, az orvosi MRI készülékek vagy a CERN részecskegyorsító szupravezető mágneseiben.
A szupravezetés másik kísérő jelensége az 1933-ban felfedezett ún. Meissner-effektus. Meissner és Ochsenfeld megmutatták, hogy egy kritikus érték alatt a mágneses tér nem tud behatolni a szupravezetők belsejébe, valamint a véges mágneses térben lehűtött és szupravezetővé vált anyagok az átalakulási hőmérsékletük alá hűtve kiszorítják magukból a mágneses teret. Míg az előbbi tulajdonság önmagában megmagyarázható az időben változó külső mágneses tér által keltett, és a szupravezetők nulla elektromos ellenállása miatt nem csillapodó köráramok következtében fellépő kompenzáló mágneses térrel, az utóbbi jelenség túlmutat a klasszikus elektromosságtan keretein. Az elméletet egy szupravezető gyűrűre alkalmazva azt várjuk, hogy a szupravezető állapotban, a gyűrű síkjára merőlegesen bekapcsolt mágneses tér a gyűrű belsejébe nem hatol be. Ezzel szemben a mágneses térben lehűtött szupravezető gyűrű belsejében a külső tér lekapcsolása után is bent marad, “befagy” a mágneses tér.
Mágneses tér mérése GMR szenzorral
A szupravezető gyűrű belsejében felépülő vagy onnan kiszoruló mágneses teret a merevlemezek olvasófejeiben is alkalmazott mágneses tér érzékelő szenzorral mérhetjük. Az ilyen, ún. óriás mágneses ellenállást (GMR) mutató nanoszerkezetek felfedezése (1988) Albert Fert és Peter Grünberg nevéhez kötődik, akik 2007-ben Nobel-díjat kaptak felfedezésükért. A szerkezet két ferromágneses rétegből áll, amelyeket egy vékony nemmágneses réteg választ el egymástól (lásd 1. ábra, alsó panel). A felhasznált anyagok és a nemmágneses réteg vastagságának megfelelő megválasztásával elérhető, hogy külső mágneses tér hiányában a két réteg mágnesezettsége egymással ellentétes irányú legyen. Erre az elrendezésre megfelelő nagyságú külső mágneses teret kapcsolva a két réteg mágnesezettségét beforgathatjuk egymással párhuzamos irányba. A mágnesezettség párhuzamos (parallel, P) állása esetén a rétegszerkezet ellenállása lényegesen kisebb, mint az ellentétes (antiparallel, AP) beállás esetén, így külső mágneses tér alkalmazásával jelentős ellenállás-csökkenést tudunk elérni. Ezt a jelenséget hívjuk óriás mágneses ellenállásnak.
1. ábra. Az óriás mágneses ellenállás szemléltetése. |
A jelenséget hátterében az áll, hogy az elektromos vezetési tulajdonságok függnek attól, hogy az elektronok spinje (illetve mágneses momentuma) milyen irányban áll a ferromágneses réteg mágnesezettségéhez képest. Az elrendezés valamelyest hasonlít az optikai polárszűrőkhöz: keresztezett polárszűrőkön kevés, míg azonos állású polárszűrőkön sok fény halad át. Fontos azonban megjegyezni, hogy a GMR jelenség csak nanoszerkezetekben jelentkezik, ha a két mágneses réteget lényegesen vastagabb nemmágneses réteg választja el, akkor az elektronok mire a második rétegbe jutnak, különböző kölcsönhatási mechanizmusoknak köszönhetően már elfelejtik, hogy milyen mágnesezettségi irányú rétegből jönnek, így az ellenállás nem függ a két réteg mágnesezettségének irányától. Optikában ez annak feleltethető meg, mint ha a két polárszűrő közé egy olyan diffúz közeget helyeznénk, mely véletlenszerűen elforgatja a polarizációt.
Az elektronikai iparban a mágneses ellenálláson alapuló technológiák első és máig is legjelentősebb felhasználása a merevlemezek olvasófejéhez kapcsolódik. Ezekben az 1990-es évek elején induktív olvasófejeket alkalmaztak: a merevlemezeken mágnesesen tárolt információ kiolvasását a gyorsan forgó mágneses lemez által egy kis tekercsben indukált feszültség segítségével végezték. Az 1990-es évek közepén áttérve a magnetorezisztív technológiára először az anizotróp mágneses ellenálláson (AMR) alapuló olvasófejek terjedtek el. Az AMR fejeknek köszönhetően jelentős tárolókapacitás-növekedést sikerült elérni, azonban az AMR jelenség kis, <1 százalékos ellenállás-változása a későbbiekben komoly korlátozó tényezővé vált. A GMR jelensége ezt az értéket egy nagyságrenddel meghaladja, így az 1990-es évek vége óta a merevlemezekben a GMR jelenségén alapuló olvasófejeket használnak. Ezzel a módszerrel a merevlemezek tárolókapacitásának további jelentős növekedését lehetett elérni.
A GMR olvasófejek az ún. spin-szelep elrendezést követik. A két mágneses rétegből az egyik rögzített, nehezen elfordítható irányú mágnesezettséggel rendelkezik, míg a másik egy könnyen forgatható mágnesezettségű réteg (2. ábra). Az utóbbi réteg mágnesezettsége az olvasófej alatt forgó merevlemezen tárolt bitek mágnesezési irányának megfelelően áll be, így az információ a spinszelep ellenállásának mérésével egyszerűen kiolvasható.
2. ábra. Az óriás mágneses ellenállás elvén alapuló merevlemezek működése. |
Mérési feladatok
Biztonsági előírások:
- A mérések során fokozott óvatossággal kezeljétek a szupravezető mintákat, mivel drága és sérülékeny eszközök.
- A szupravezető anyagok mérgezőek az emberi szervezet számára, így a mérés során ne egyetek, valamint a mérések végén mossatok kezet. A szupravezető minták felületén speciális bevonat van, így szabad kézzel megfogva sem kerül szennyeződés a kezetekre, azonban fontos az elővigyázatosság.
- A folyékony nitrogénnel óvatosan bánjatok, kerüljétek azt, hogy a bőrötökhöz érjen. Semmiképp se mártsátok bele a kezeteket, és ne igyatok belőle! A folyékony nitrogénben lehűtött tárgyakhoz se nyúljatok szabad kézzel!
Szupravezető fázisátalakulásának mérése
A szupravezető minta ellenállása a normál állapotban is nagyon kicsi, néhányszor tíz m nagyságú. Ezért ha két pontban mérjük az ellenállását, a mért értéket a kontaktusok ellenállása fogja dominálni, ahogy a 4.a) ábrán is látszik. Ezeket az ellenállás értékeket nem ismerjük. Ha ismernénk őket, a mért értékből kivonva akkor is csak nagyon pontatlanul tudnánk meghatározni a minta tényleges ellenállását,
ezért egy másik módszerrel, úgynevezett négypont ellenállás méréssel végezzük a kísérletet (4.b) ábra). Ebben az elrendezésben a műszerek által mutatott feszültség és áram értékek hányadosa ténylegesen csak a minta ellenállását fogja megadni. Ezt otthon egy könnyű számolással ellenőrizhetitek.
4. ábra. a) Ellenállás mérése két pontban. b) Ellenállás mérése négy pontban |
1. Állítsátok össze az 5. ábrán látható mérési elrendezést!
5. ábra. Szupravezető pálca átalakulásának mérésére szolgáló elrendezés. |
Az összeállítás lépései:
- Csatlakoztassátok a mérőkártyát egy USB kábelen keresztül a számítógépre.
- A minta négypontellenállásának mérésére szolgáló banándugók közül a V+ és V- kivezetéseket csatlakoztassátok a mérőkártya multiméter bemeneteire. Az I+ kivezetést a 100 ellenállással sorban az 5 V kimenetre kössétek, ehhez az egyik banándugót, a drótot és a sorkapcsot kell felhasználni. Az I- kivezetést csatlakoztassátok a másik banándugó és drót segítségével a DGND kimenetre.
- A hőmérsékletmérésre szolgáló kábelek közül a fekete szikszalaggal jelölteket egy 1 k ellenállással sorban kössétek az AO0 és az AGND kivezetésekre, a másik kettőt az AI 0+ és 0- bemenetekre. Itt arra figyeljetek, hogy azok a kábelek legyenek az AGND illetve az AI 0- kivezetésekre kötve, amelyek színében van fehér is.
2. Indítsátok el a mérésvezérlő programot! Ehhez a …./myDAQprogram.sln filet kell megnyitni.
6. ábra. A mérésvezérlő program kezelőfelülete. |
A program kezelőfelülete a 6. ábrán látható. Az „SC rod” és „SC ring” opciókkal tudtok váltani a szupravezető pálca és gyűrű mérései között. Először az „SC rod” opcióra lesz szükségetek. A Start! gomb megnyomásával indíthatjátok a mérést, és a Stop! gombbal állíthatjátok le. A mérési adatokat a Filename szövegdobozban megadott néven tudjátok elmenteni. A mentés idejére állítsátok meg a mérést. Ha új mérést kezdtek, a Clear graphs! gombra kattintva tudjátok törölni a grafikonok adatait.
A program a hőmérőn és a soros ellenálláson, valamint csak a hőmérőn eső feszültségértékekből számolja ki a PT1000 típusú hőmérő ellenállását. Ennek a hőmérőnek működési elve a következő: nulla Celsius-fok hőmérsékleten 1 k az ellenállása, amely csökkenő hőmérséklet mellett csökken, növekvő mellett nő. -50 °C és 200 °C között jó közelítéssel lineáris az ellenállás-hőmérséklet összefüggése, ezen egyenes alapján számolja ki a mérésvezérlő program az aktuális hőmérsékletet. Alacsony hőmérsékleten ez már nem feltétlen teljesül, így a folyékony nitrogén hőmérsékletén (77 K= -196 °C) ez a közelítés némi pontatlanságot visz a mérésbe.
Ha mindennel elkészültetek, szóljatok a mérésvezetőnek, aki ellenőrzi az összeállítást és kitölti nektek a folyékony nitrogént.
3. A mérésvezérlő program segítségével vegyétek fel a szupravezető minta négypontellenállásának hőmérsékletfüggését úgy, hogy lassan belemártjátok a mintatartót a folyékony nitrogénbe. Miután stabilizálódott a hőmérséklet a folyékony nitrogén hőmérsékletén, lassan emeljétek ki a mintatartót és az asztalra téve várjátok meg, amíg felmelegszik szobahőmérsékletre. Melegedés közben is mérjétek az ellenállás hőmérsékletfüggését. A mért görbék alapján határozzátok meg a szupravezető átalakuláshoz tartozó kritikus hőmérsékletet!
- Miért térnek el a hűléskor és a melegedéskor mért átalakulási hőmérsékletek egymástól?
- Milyen hibái lehetnek a hőmérséklet mérésének?
- Mekkora hibával tudjuk meghatározni a minta ellenállását? Mekkora az a legnagyobb ellenállás, amit még nullának mérünk?
Meissner - effektus tanulmányozása
1. Állítsátok össze a mérési elrendezést a 6. ábra alapján!
6. ábra Szupravezető gyűrű vizsgálatának mérési elrendezése. |
Ennek menete:
- A mérőkártyáról válasszátok le az előző mérés eszközeit.
- A mágneses szenzor kék/barna kivezetését csatlakoztassátok a mérőkártya 5 V kimenetére, a kék-fehér/barna-fehér kivezetést a DGND kimenetre.
- A szenzor zöld/narancs és zöld-fehér/narancs-fehér kivezetéseit banándugókkal csatlakoztassátok a multiméter bemenetre.
- A táp kivezetéseit banánkábelekkel kössétek a tekercsre. A tekercsen eső feszültség mérésére a tekercs kivezetéseit az AI 1+ és AI 1- bemenetekre is kössétek rá.
- A mérésvezérlő programban válasszátok az „SC ring” opciót.
2. Számoljátok ki, hogy mekkora a mágneses tér a tekercs közepén a tekercsen eső feszültség függvényében! A tekercs menetszáma és ellenállása a tekercs oldalán olvasható, a hosszát tolómérővel mérhetitek meg.
Ha ezzel elkészültetek, szóljatok a mérésvezetőnek, aki ellenőrzi az összeállítást és a számolásotokat.
3. A műanyag csipesz segítségével helyezzétek a szupravezető gyűrűt az edény aljára, majd töltsetek folyékony nitrogént az edénybe. Ezután helyezzétek a GMR szenzort a gyűrű közepébe, és kapcsoljatok a tekercsre körülbelül 3.5 mT mágneses térnek megfelelő feszültséget. Mit mutat a szenzor?
- Mi az oka a jelenségnek?
4. Vegyétek ki a szenzort és a gyűrűt az edényből, utóbbihoz használjátok a műanyag csipeszt. Várjátok meg, míg a gyűrű felmelegedik, közben öntsétek vissza az edényből a folyékony nitrogént a termoszba. Ezután helyezzétek vissza az üres edényt és a mintát a tekercs közepébe, majd kapcsoljatok a tekercsre ismét 3.5 mT mágneses térnek megfelelő feszültséget. Öntsetek óvatosan folyékony nitrogént az edénybe, és helyezzétek vissza a mágneses szenzort. Kapcsoljátok le a tekercs által biztosított külső mágneses teret. A kikapcsolás pillanatától számítva az idő függvényében mérjétek a szenzor jelét legalább 10 percen keresztül! Közben ha szükséges, pótoljátok a folyékony nitrogént.
- Kikapcsoltuk a külső mágneses teret, mégsem mutat zérus térértéket a szenzor. Miért van ez?
- A mérés alapján adjatok felső becslést a gyűrű ellenállására!
- Az előző feladatrészben számolt zérus ellenállás hibájával kalkulálva mennyi idő alatt csökken le a gyűrűben a mágneses tér nullára?
5. Várjátok meg míg elfogy a nitrogén, és felmelegszik a gyűrű. Közben mérjétek a gyűrű közepében a teret.
Megjegyzés: ha precízebben szeretnénk elvégezni a mérést, akkor a GMR szenzort kalibrálni kell szobahőmérsékleten és alacsony hőmérsékleten is.
Függelék: A mérésen használt eszközök
- szupravezető pálca
- mintatartó hőmérővel
- myDAQ mérőkártya
- termosz
- folyékony nitrogén
- szupravezető gyűrű
- hungarocell edény
- tekercs
- mágneses szenzor
- műanyag csipesz
- tápegység
- banánkábelek
- csavarhúzó
- tolómérő