„Investigation of atomic contacts” változatai közötti eltérés

A lap 2019. szeptember 18., 11:07-kori változata

The purpose of the measurement is to investigate the transport properties of atomic-sized contacts using the MyDAQ data acquisition card. For this purpose, the conductance curves of nanojunctions are recorded in the last moments before rupture, when only a few atoms connect the two sides. The acquired conductance traces are statistically examined using a conductance histogram.

Introduction: atomic sized contacts

Nowadays, an increasingly important and rapidly growing field of physics research is the study of various nanostructures with a typical width of several hundred - or as we will see - single atoms. Devices of nanometer scale exhibit many astonishing quantum physics processes, as the size of the system becomes comparable to the mean free path of electrons or even to the wavelength of the electrons, and in the case of very small, atomic systems, the atomic quantization of matter must be also taken into account. In addition to studying quantum physical phenomena as part of basic research, nanostructures are playing an increasingly important role in the miniaturization and development of electronic devices. The fabrication of most nanostructures requires a strong technical background based on electron beam lithography, and many quantum physics processes can only be studied at extremely low temperatures (4 K-10 mK). In this measurement we study a nanophysical phenomenon that can be observed at room temperature with a relatively simple measurment system, although the structure under investigation is probably one of the smallest nanostructures: a contact in which two electrodes are connected by a single atom.

A single atom contact is surprisingly easy to create, since at the last moment of breaking a metal wire a single atom connects the two sides. However, the stabilization of the contact is a major challenge, since it is a prerequisite that the mechanical stability of the measuring device is significantly better than a typical atom to atom distance (~ 300 pm). Such conditions can be achieved with a high-stability low-temperature tunnel microscope or with the so-called MCBJ technique (Mechanically Controllable Break Junction technique). The principle of this method is illustrated in Figure 1. The contact is made of a simple metallic wire which is fixed with two adhesive dots on a bending beam. By bending the beam, the attachment points are moving apart so that the metallic wire can be broken. It follows from the mechanical arrangement of the instrument that, when the bending beam is bent in the centre by a gently movable axis, the relative displacement of the electrodes is only 1/100 of the displacement of the axis. If measurements are made at extremely low temperatures in a liquid helium environment and a finely tuneable piezo actuator is used to bend the beam, mechanical stability of up to a few pm can be achieved, which is by an order of magnitude better than what can be achieved using a scanning tunnel microscope.

Figure 1: The sketch of the MCBJ setup.

The stability of the system can be tested using the effect of quantum mechanical. If the electrodes are gently moved closer after breaking of the metallic wire, before direct contact occurs, a tunnel current flows between the two sides, the magnitude of which is an exponential function of the electrode spacing. It is calculated that the tunnel current increases approximately tenfold when the electrodes are approached by 100 pm. In low temperature experiments, the exponential distance dependence can be detected through about six orders of magnitude (Figure 2), that is, the conductance increases by about one million times while the electrodes are only approached by 600 µm (two to three times the typical atomic distance). This phenomenon allows for very sensitive detection of changes in the distance between the electrodes. The inset of Figure 2 shows that at a fixed piezo voltage, the electrode spacing changes by only 2 µm in ten minutes, which is about one hundredth of a typical atomic atom spacing. The figure also shows that as the electrodes are approached, a sudden jump is observed at a given point, followed by a conductivity plateau. This creates a direct metallic contact, which in most cases consists of a single atom.

Figure 2: Tunnel current and mechanical stability test at 4K.

Let us now approach the formation of the atomic contact from the other side and examine the change in conductivity as the metallic wire is broken. As the wire becomes thinner, we first experience a continuous decrease in conductivity. However, once the diameter of the contact reaches a few atoms, the conductivity can no longer change continuously due to granularity of material on atomic scale. Fig. 3A shows conductivity curves recorded during the breaking of nanocontacts. At first, when the two sides of the contact are pulled apart, the atoms move only elastically relative to one another, while the conductivity changes only moderately (plateau). However, after a certain amount of tension, the atoms rearrange abruptly, resulting in a more favourable configuration with fewer atoms. Atomic rearrangements are reflected by a sudden change in conductance. At the last plateau before the rupture, there is only a single atom connecting the two sides. If the two electrodes are pushed together after rupture, the atoms on the broken surface will be reconnected, so that the breaking of the nanowire can be repeated over and over again (Fig. 3C). Naturally, the conductance curves look different, though similar in nature, for each nanocontact (see Figure 3a for different conductance traces). The characteristic properties of nanocontacts made from a given material can be mapped using statistical methods. A histogram can be plotted from a large number of breaking conductance traces showing how often a given conductivity value was seen during breaking (Fig. 3B). The peaks in the histogram show the conductance of stable, frequently occurring atomic configurations. The first peak of the histogram indicates the conductance of the single-atom contact. It is worth mentioning that in certain materials, e.g. in gold, a single-atom contact does not break apart as a result of pulling, but it can form an atomic chain of up to seven atoms in length, one atom in diameter, as shown in the simulation of Fig. 3C and also by the large peak for the single atom contact in the histogram.

3/a-b. ábra. Atomi méretű arany nanovezetékek szakítás közben felvett vezetőképesség-görbéi (bal oldal). Az egymás utáni szakítások jellegre hasonló, de a részletekben különböző vezetőképsség-görbéket adnak. Sok szakítás vezetőképesség-görbéi alapján felrajzolhatunk egy vezetőképesség-hisztogramot (jobb oldal), melyben a csúcsok a gyakran kialakuló atomi konfigurációk vezetőképességeit adják meg.	3/c. ábra. Fém nanovezeték ismételt szakítása (számítógépes szimuláció).

Understanding the conduction mechanism of a single atom requires a quantum mechanical approach, since the diameter of the contact is of the same order of magnitude as the wavelength of the electrons. Conductance is through quantized conduction channels whose conductivity must not exceed the quantum conductance unit, .

4. ábra Egy nanokontaktus vezetési tulajdonságait modellezhetjük két ideális (párhuzamos falú) kvantumvezeték közötti szórási tartománnyal, melyen a bal oldali n-edik vezetési csatornából a jobb oldali n-edik vezetési csatornába valószínűséggel transzmittálódnak az elektronok.

5. ábra (a) Diszperzós reláció ideális kvantumvezetékben. (b) Diszperzós reláció a mintára feszültséget kapcsolva.

To understand the conductance quantum, consider an ideal quantum conductor. (For a more detailed description of all of these, see the Nanophysics Knowledge Base .) Imagine a ballistic wire connecting two electrodes without scattering centres, such as the left or right side region on Figure 4 with parallel walls. The motion of electrons in the conductor is described by the Schrödinger equation: transverse quantized modes are formed and electron waves propagate as longitudinal one-dimensional planar waves.

A diszperziós reláció alakú, ahol a keresztirányú módus energiája. Az egyes keresztmódusokhoz tartozó diszperziókat vezetési csatornának nevezzük. Nyitott csatornáról beszélünk, ha a diszperziós reláció metszi a kémiai potenciált, esetén viszont zárt a csatorna, azaz nem propagálnak benne elektronok. Számoljuk ki a kvantumvezeték vezetőképességét egyetlen vezetési csatorna esetén. Az elektródákra feszültséget kapcsolva a kémiai potenciálok eltolódnak -vel, így a balról jobbra propagáló állapotok -vel magasabb energiáig vannak betöltve, mint a jobbról balra menő állapotok. A betöltések eltolódása miatt a pozitív és negatív irányú áram nem egyenlő, így a vezetékben nettó áram folyik, ahol az elektronok sebessége, pedig az elektronsűrűség, ahol a vezeték hossza, pedig az egydimenziós állapotsűrűség. Behelyettesítés után adódik, azaz az egy vezetési csatornának megfelelő vezetőképesség-kvantum , amely 12906 Ω ellenállásnak felel meg. Az eredményt általánosíthatjuk, ha több vezetési csatornát is figyelembe veszünk, és minden csatornában megengedünk egy véges transzmissziós valószínűséget (4. ábra). A rendszert kezelhetjük egy megfelelő saját bázisban, melyben a bal oldali n-edik vezetési csatornából csak a jobb oldali n-edik vezetési csatornába szóródhatnak elektronok. Ez alapján egy tetszőleges nanokontaktus vezetőképességét az ún. Landauer-formula segítségével adhatjuk meg:

ahol az -edik csatorna transzmissziós valószínűsége. Egy adott nanokontaktus jól jellemezhető a vezetési csatornák számával, és az egyes csatornák transzmissziós valószínűségeivel, így a transzmissziós együtthatók halmazát gyakran a nanokontaktus mezoszkópikus PIN-kódjának hívják.

A 3. ábrán bemutatott vezetőképesség-görbéken ill. hisztogramon látjuk, hogy arany kontaktus szétszakításakor az egyatomos kontaktusnak megfelelő utolsó plató a vezetőképesség-kvantumhoz közel helyezkedik el. Ebből szigorúan véve még nem következik, hogy egyetlen, tökéletesen transzmittáló csatorna adja-e a vezetést, hiszen véletlen egybeesésként több részlegesen részlegesen áteresztő vezetési csatorna együttes vezetőképessége is kiadhat -nak megfelelő vezetőképességet. Ennek megállapításához további mérések szükségesek, melyek nem csak a transzmissziós együtthatók összegét mérik, hanem további információt nyújtanak a transzmissziós együtthatókról. Példaként említhetjük a sörétzaj mérését. Ha a vezetőképesség átlagértéke mellett a vezetőképesség időbeli fluktuációit is mérjük, a mennyiség is meghatározható. Látszik, hogy egyetlen tökéletesen transzmittáló csatorna esetén a sörétzaj eltűnik, míg több, részlegesen transzmittáló csatorna esetén véges zajt kapunk. Az arany kontaktuson végzett zajmérések egyértelműen megmutatták, hogy az egyatomos arany kontaktus vezetőképességét 1 db tökéletesen áteresztő csatorna adja. Elméleti megfontolások alapján ez azzal hozható összefüggésbe, hogy aranyban csak az s elektronok vesznek részt a vezetésben. Például d-fémekben, ahol az egyatomos kontaktus vezetéséhez a d elektronok is hozzájárulnak akár 5 részleges transzmissziójú nyitott csatornát is megfigyelhetünk. Megjegyezzünk, hogy a jelenség különbözik a két dimenziós heterostruktúrákban megfigyelhető vezetőképesség kvantálástól vagy a kvantum Hall effektustól , ahol csak teljesen nyitott és zárt csatornák vannak jelen.

Mérési elrendezés

A laboratóriumi gyakorlaton egyatomos kontaktusok vezetését vizsgáljuk egy vékony fémszál ismételt elszakításával és összeérintésével. Mivel az egyatomos arany kontaktusok vezetőképessége közel van a vezetőképesség-kvantumhoz, illetve az összes fém közül az arany oxidálódik a legkevésbé, ezért méréseinket arany mintán végezzük. A kontaktus kontrollált mozgatása érdekében az MCBJ technikát használjuk. A laprugókra 100 μm átmérőjű nagytisztaságú aranyszálat rögzítettünk.

8. ábra. Nyáklapból készült rugalmas lapkára forrasztott fémszál

A laprugó egy léptetőmotorral vezérelt lineáris mozgató, valamint egy piezoelektromos mozgató segítségével hajlítható. A mintára az MyDAQ kártya segítségével 100mV nagyságrendű feszültséget adunk, a kontaktuson folyó áramot egy 10⁵ erősítésű áramerősítővel mérjük.

Az 1.ábrának megfelelően egy alumínium konzolba rögzítve található a léptetőmotor, a piezomozgató és a rugalmas lapkára rögzített fémszál. A motorhoz egy tápegység tartozik. A motor és a piezomozgató vezérlését, illetve a vezetőképesség mérését teljes egészében egy számítógéphez csatlakoztatott MyDAQ kártyával végezzük. A méréshez szükséges kiegészítő áramkörök egy előre összeállított próbanyákon találhatóak.

A TRINAMIC - PD3-013-42 léptetőmotor az alumínium konzolra rögzített négypólusú mikrofoncsatlakozón keresztül vezérelhető. A négy pólusból háromra digitális jeleket küldünk a mérőkártyáról. Az egyik pólussal a motor ki és bekapcsolható (ENABLED), a másik pólussal a motor forgásiránya állítható (DIRECTION), a harmadik pólusra pedig egy rövid pulzust küldve a motor egy lépést tesz, azaz körülbelül 0.1 fokkal fordul el. A negyedik pólusra a digitális jelek földje (DGND) kerül. Az áramkörhöz csatlakoztatott kábel segítségével kötjük a motort a mérőkártyához. A kábel színkiosztása: ENABLED - Kék, DIRECTION - Zöld, STEP - Narancs, DGND - Barna. Az ENABLED, DIRECTION, STEP, DGND jeleket az összeállított áramkör csatlakozója a kártya DIO0, DIO1, DIO2 és DGND kimeneteivel köti össze.

A finom mozgatáshoz Piezomechanik PSt150/3.5x3.5/20 típusú piezomozgatót használunk, mely -30 - +150 V tartományban működtethető, a teljes feszültségtartomány 28 μm elmozdulásnak felel meg. A piezot nem vezérelhetjük közvetlenül a mérőkártyáról, hiszen az nem tudna elég nagy áramot kiadni, így egy erősítőt kell közbeiktatnunk. Ez az erősítő áramkör szintén az összeállított panelen helyezkedik el. A panel egy szabványos csatlakozóval köthető az adatgyűjtő kártyához.

A méréshez rendelkezésre áll egy mérőprogram, amiben a léptető motor vezérlését implementáltuk. Itt gombnyomássokkal lehet ki vagy befele tekerni a motort, illetve a lépések számát meghatározó pulzusok számát is meg lehet adni. A mérőprogramban implementálva van továbbá az adatok beolvasásása, illetve az egyik csatornán a jelek kiadása. Ez a piezovezerléshez tartozó csatorna, és a programban példaként egy szinusz jel alapú vezérlést implementáltunk.

Mérési feladatok

1. Ismerjük meg és próbáljuk ki a kétpaneles MCBJ mérőprogramot, annak funkcióit, működését!

2. Módosítsuk a mérőprogramot úgy, hogy a kártya állítható amplitúdójú és frekvenciájú háromszögjelet adjon ki!

3. Írjunk egy rutint, mely az egymás után beolvasott görbék alapján hisztogramot készít, azaz kiszámolja a különböző feszültségértékek előfordulási gyakoriságát. Érdemes még a mérés előtt, felkészüléskor átgondolni, hogyan lehet hisztogram-készítő algoritmust megvalósítani. Mentsük ezt a hisztogrammot a mérés végén/közben egy külön fálba/változóba, hogy a jegyzőkönyv írásnál ez az adat rendelkezésre álljon.

4. Ábrázoljuk a paneleken a beolvasott vezetőképességet, valamint a kumulált hisztogramot!

5. Állítsuk össze a mérési elrendezést atomi méretű kontaktusok vizsgálatához és teszteljük a kapcsolást egy 12900 Ω-os ellenállással! Ezen az ellenálláson teszteljük a hisztogramkészítő rutint. A rutint tesztelhetjük akár a kiadott háromszög jelen is (a hozzátartozó tömbön).

6. A mintaellenállás helyére kössük a laprugóra rögzített aranyszálat! Szakítsuk el a kontaktust, és vegyünk fel egyedi vezetőképesség görbéket! Tároljunk el pár görbét, melyek szépen mutatják a vezetőképesség platókat! A léptetőmotor és a piezoelektromos mozgató együttes vezérlésével a kontaktust újra meg újra elszakítva vegyünk fel legalább 100 görbét, és készítsünk vezetőképesség hisztogramot! Ezeket a görbéket mentsük el, hogy az otthoni adatelemzés lehetséges legyen!

6. Vizsgáljuk az elszakított kontaktus összenyomását! Készítsünk olyan mérőfunkciót, amely rögzíti és ábrázolja a kontaktusok között folyó alagútáramot! Ábrázoljuk az alagútáramot logaritmikus skálán és vessük össze az irodalmi adattal!

Szorgalmi feladat: Az alagútáramot felhasználva szabályozzuk időben a két kontaktus távolságát! Ehhez a közismert PI szabályozástechnikát alkalmazzuk. A finom mozgatást kizárólag a piezó segítségével valósítsuk meg. Teszteljük a stabilitást különböző külső hatásokkal (taps, hőforrás). Segítség:

Segítség

Egy kiindulási program áll rendelkezésre a laborgyakorlathoz itt.

Az NI kártyával hajtható végre a mérőfeszültség kiadása is. Az ehhez szükséges függvény AnalogOutput, melybe egész számú mV-ban kell megadni azt a feszültséget, melyet a kártya AO0-ás kimenetén kiadni kívánunk.

        void AnalogOutput(double Millivolts)
        {
            NationalInstruments.DAQmx.Task OutAnalogTask;
            OutAnalogTask = new NationalInstruments.DAQmx.Task(); 
            AnalogSingleChannelWriter Analog_DAQwriter;
 
            double Minimumvoltage = -5;                    //DAQmx output value min
            double Maximumvoltage = 5;                     //DAQmx output value max
 
            //Analoge output on AO0
            try
            {
                Analog_DAQwriter = new AnalogSingleChannelWriter(OutAnalogTask.Stream);
                OutAnalogTask.AOChannels.CreateVoltageChannel("myDAQ1/ao0", "",
                        Minimumvoltage, Maximumvoltage,
                        AOVoltageUnits.Volts);
                Analog_DAQwriter.WriteSingleSample(true, Millivolts / 1000);
            }
            catch (DaqException exception)
            {
                MessageBox.Show(exception.Message);
            }
            OutAnalogTask.Dispose();
        }

Az NI adatgyűjtő kártya továbbá felhasználható feszültség mérésére is. Erre a kontaktus monitorozásakor van szükségünk. Az AnalogInput függvény a kártya AI1 bemenetére kötött feszültség értéket adja vissza mV-ban, double-ként.

       double AnalogInput()
        {
	    NationalInstruments.DAQmx.Task InputTask;
            InputTask = new NationalInstruments.DAQmx.Task(); 
            AnalogSingleChannelReader Analog_DAQreader;
 
            double Minimumvoltage = 0;                     //DAQmx output value min
            double Maximumvoltage = 5;                     //DAQmx output value max
 
            //Analog input channel AI0
	    InputTask.AIChannels.CreateVoltageChannel("myDAQ1/ai1","",AITerminalConfiguration.Differential, Minimumvoltage, Maximumvoltage,AIVoltageUnits.Volts);		
	    Analog_DAQreader = new AnalogSingleChannelReader(InputTask.Stream);
 
            return Analog_DAQreader.ReadSingleSample()*1000;
        }

Egyéb

A korábbi mérésleírás itt található pdf formátumban.