„Mérőkártya programozás, atomi méretű kontaktusok” változatai közötti eltérés

A lap 2013. szeptember 30., 17:03-kori változata

A mérés célja a Tektronix TDS320 digitális oszcilloszkóp használatának és programozásának megismerése, ill. atomi méretű kontaktusok vezetési tulajdonságainak vizsgálata digitális oszcilloszkóp segítségével.

Ennek érdekében nanokontaktusok vezetőképesség görbéit rögzítjük a szétszakadás előtti pillanatokban, mikor csak pár atom köti össze a két oldalt. A számítógéppel beolvasott vezetőképesség görbéket statisztikailag vizsgáljuk vezetőképesség hisztogram segítségével.

Bevezetés: atomi méretű kontaktusok

Napjainkban a fizikai kutatások egyre jelentősebb és rohamosan növekvő területe a különböző nanoszerkezetek vizsgálata, melyek tipikus szélessége pár száz - vagy mint látni fogjuk akár egyetlen - atom. A nanométeres skálájú eszközökben számos meghökkentő kvantumfizikai folyamatot tapasztalunk, hiszen a rendszer mérete összemérhetővé válik az elektronok szabad úthosszával, vagy akár az elektron hullámhosszal is, az egészen kicsi, atomi mérető rendszereknél pedig az anyag atomi kvantáltságát is figyelembe kell venni. A nanoszerkezetek az alapkutatás számára érdekes kvantumfizikai jelenségek vizsgálatán túl az elektronikai eszközök miniatürizálásában és fejlesztésében is rohamosan növekvő szerepet kapnak. A legtöbb nanostruktúra előállítása komoly, elektron-sugár litográfiára épülő technikai hátteret igényel, és számos kvantumfizikai folyamat csak extrém alacsony hőmérsékleteken (4K-10mK) tanulmányozható. A mérési gyakorlaton egy olyan nanofizikai jelenséget vizsgálunk, mely szobahőmérsékleten, viszonylag egyszerű mérőrendszerrel is megfigyelhető, bár a vizsgált struktúra talán az egyik legkisebb nanoszerkezet, egy olyan kontaktus, melyben két elektródát egyetlen atom köt össze.

Egy egyatomos kontaktus meglepően egyszerűen létrehozható, hiszen egy fémszál szétszakításának utolsó pillanatában egyetlen atom köti össze a két oldalt. Komoly kihívás viszont a kontaktus stabilizálása, hiszen egy nanokontaktus tanulmányozásának elengedhetetlen feltétele, hogy a mérőberendezés mechanikai stabilitása jelentősen jobb legyen egy tipikus atom-atom távolságnál (~300 pm). Ilyen körülmények elérhetőek egy nagystabilitású alacsony hőmérsékleti alagútmikroszkóppal, de rendelkezésre áll egy másik eszköz is, az ún. MCBJ technika (Mechanically Controllable Break Junction technique). Ennek a módszernek a működését szemlélteti az 1. ábra. A kontaktust egy egyszerű fémszálból hozzuk létre, melyet két ragasztópöttyel egy laprugóra rögzítünk. A laprugó hajlításával a rögzítési pontok távolodnak egymástól, így a fémszál elszakítható. A műszer mechanikai elrendezéséből következik, hogy ha a laprugót középen egy finoman mozgatható tengely segítségével hajlítjuk, az elektródák relatív elmozdulása csak 1/100-ad része a tengely elmozdulásának. Ha a méréseket extrém alacsony hőmérsékleten, folyékony hélium környezetben végezzük, és a rugó hajlításához finoman hangolható piezo mozgatót használunk, a pásztázó alagútmikroszkópnál nagyságrendekkel jobb, akár pár pm-es mechanikai stabilitás érhető el.

A rendszer stabilitását a kvantummechanikai alagúteffektus segítségével vizsgálhatjuk. Ha a fémszál szétszakítása után az elektródákat finoman közelítjük egymáshoz, a közvetlen kontaktus létrejötte előtt alagútáram folyik a két oldal között, melynek nagysága az elektródák távolságának exponenciális függvénye. Kiszámolható, hogy az alagútáram mintegy tízszeresére növekszik, ha az elektródákat 100 pm-rel közelítjük egymáshoz. A kísérletekben az exponenciális távolságfüggés mintegy hat nagyságrenden keresztül kimutatható (2. ábra), azaz a vezetőképesség mintegy egymilliószorosára nő, miközben az elektródákat csak 600 pm-rel (egy tipikus atom-atom távolság kétszeresével) közelítjük egymáshoz. Ez a jelenség az elektródák közötti távolság változásának nagyon érzékeny detektálását teszi lehetővé. A 2. ábra betétje mutatja, hogy rögzített piezo feszültségnél az elektródák távolsága tíz perc alatt csak 2 pm-rel változik, amely mintegy egyszázad része a tipikus atom-atom távolságnak.

Az ábrán látható, hogy az elektródák közelítése közben egy adott ponton egy hirtelen ugrást tapasztalunk, melyet egy vezetőképesség plató követ. Ekkor egy közvetlen, fémes kontaktus jön létre, mely a legtöbb esetben egyetlen atomból áll. Most közelítsük meg az egyatomos kontaktus kialakulását a másik oldalról, és vizsgáljuk meg a vezetőképesség változását a fémszál szétszakítása közben. Ahogy a szál vékonyodik, először folytonosan csökkenő vezetőképességet tapasztalunk. Ha viszont a kontaktus átmérője már eléri a pár atomot, a vezetőképesség már nem tud folytonosan változni az atomi kvantáltság miatt. A 3. ábra bal oldali panelje nanokontaktusok szétszakítása közben felvett vezetőképesség görbéket mutat. A kontaktus két oldalának széthúzása közben először az atomok csak rugalmasan mozdulnak el egymáshoz képest, miközben a vezetőképesség csak mérsékelten változik (platók). Egy bizonyos feszítés után viszont az atomok ugrásszerűen átrendeződnek, és egy kevesebb atomot tartalmazó, kedvezőbb konfiguráció jön létre. Az atomi átrendeződéseket a vezetőképesség ugrásszerű változása tükrözi. Mikor a teljes szétszakadás előtti utolsó platót látjuk, a két oldalt már csak egyetlen atom köti össze. Természetszerűleg, minden egyes nanokontaktus szétszakításakor a vezetőképesség görbék máshogyan néznek ki, bár jellegre hasonlóak. Egy adott anyagból készült nanokontaktusok karakterisztikus jellemzőit statisztikai módszerrel térképezhetjük fel. Nagyszámú szétszakítás közben felvett vezetőképesség görbéből felrajzolhatunk egy hisztogramot, mely megmutatja hogy a szétszakítások közben egy adott vezetőképesség értéket milyen gyakorisággal láthattunk. A hisztogramban kirajzolódó csúcsok megmutatják a stabil, nagy gyakorisággal létrejövő atomi konfigurációk vezetőképességét. A hisztogram első csúcsa az egyatomos kontaktus vezetőképességét adja meg.

Az egyatomos kontaktus vezetési mechanizmusának megértéséhez kvantummechanikai megközelítésre van szükség, hiszen a kontaktus átmérője azonos méretskálájú az elektronok hullámhosszával. A vezetés kvantált vezetési csatornákon keresztül történik, melyek vezetőképessége nem haladhatja meg a kvantum vezetőképesség egységet, .

A vezetőképesség kvantum megértéséhez vizsgáljunk meg egy ideális kvantumvezetéket. Képzeljünk el egy két elektródát összekötő ballisztikus vezetéket, melyben nincsenek szórócentrumok. Az elektronok mozgását a vezetékben a Schrödinger egyenlet írja le, keresztirányban kvantált módusok alakulnak ki, hosszirányban pedig egydimenziós síkhullámként propagálnak az elektronhullámok. A diszperziós reláció alakú, ahol En a keresztirányú módus energiája. Az egyes keresztmódusokhoz tartozó diszperziókat vezetési csatornának nevezzük. Nyitott csatornáról beszélünk, ha a diszperziós reláció metszi a Fermi energiát, esetén viszont zárt a csatorna, azaz nem propagálnak benne elektronok. Számoljuk ki a kvantumvezeték vezetőképességét egyetlen vezetési csatorna esetén. Az elektródákra feszültséget kapcsolva a kémiai potenciálok eltolódnak -vel, így a balról jobbra propagáló állapotok -vel magasabb energiáig vannak betöltve, mint a jobbról balra menő állapotok. A betöltések eltolódása miatt a pozitív és negatív irányú áram nem egyenlő, így a vezetékben nettó áram folyik, ahol az elektronok sebessége, pedig az elektronsűrűség, ahol a vezeték hossza, pedig az egydimenziós állapotsűrűség. Behelyettesítés után adódik, azaz az egy vezetési csatornának megfelelő vezetőképesség kvantum , amely 12906 Ω ellenállásnak felel meg. Az eredményt általánosíthatjuk, ha több vezetési csatornát is figyelembe veszünk, és minden csatornában megengedünk egy véges reflexiós valószínűséget. Ez alapján egy tetszőleges nanokontaktus vezetőképességét az ún. Landauer formula segítségével adhatjuk meg:

ahol az -edik csatorna transzmissziós valószínűsége. Egy adott nanokontaktus jól jellemezhető a vezetési csatornák számával, és az egyes csatornák transzmissziós valószínűségeivel, így a transzmissziós együtthatók halmazát gyakran a nanokontaktus mezoszkópikus PIN-kódjának hívják.

A 3. ábrán bemutatott vezetőképesség görbéken ill. hisztogramon látjuk, hogy arany kontaktus szétszakításakor az egyatomos kontaktusnak megfelelő utolsó plató pontosan a vezetőképesség kvantumnál, -nál helyezkedik el. Ebből szigorúan véve még nem következik, hogy egyetlen, tökéletesen transzmittáló csatorna adja-e a vezetést, ennek megállapításához további mérések szükségesek, melyek nem csak a transzmissziós együtthatók összegét mérik, hanem további információt nyújtanak a transzmissziós együtthatókról. Példaként említhetjük a sörétzaj mérését. Ha a vezetőképesség átlagértéke mellett a vezetőképesség időbeli fluktuációit is mérjük, a mennyiség is meghatározható (lásd a "Termikus zaj mérése Lock-In erősítővel" mérés leírását). Látszik, hogy egyetlen tökéletesen transzmittáló csatorna esetén a sörét zaj eltűnik, míg több, részlegesen transzmittáló csatorna esetén véges zajt kapunk. Az arany kontaktuson végzett zajmérések egyértelműen megmutatták, hogy az egyatomos arany kontaktus vezetőképességét 1 db tökéletesen transzmittáló csatorna adja. Elméleti megfontolások alapján ez azzal hozható összefüggésbe, hogy aranyban csak az s elektronok vesznek részt a vezetésben. Például d-fémekben, ahol az egyatomos kontaktus vezetéséhez a d elektronok is hozzájárulnak akár 5 részleges transzmissziójú nyitott csatornát is megfigyelhetünk.

Mérési feladatok

A laboratóriumi gyakorlaton egyatomos kontaktusok vezetését vizsgáljuk egy vékony fémszál ismételt elszakításával és összeérintésével. Mivel az egyatomos arany kontaktusok vezetőképessége pontosan megegyezik a vezetőképesség kvantummal, illetve az összes fém közül az arany oxidálódik a legkevésbé, ezért méréseinket arany mintán végezzük. A kontaktus kontrolált mozgatása érdekében az MCBJ technikát használjuk. A laprugókra 50 μm átmérőjű nagytisztaságú arany szálat rögzítettünk. A laprugó egy léptetőmotorral vezérelt csavar segítségével hajlítható. A mintára egy DC tápegységből 1:50-es feszültségosztón keresztül 100mV nagyságrendű feszültséget adunk, a kontaktuson folyó áramot egy 10⁴ erősítésű áramerősítővel mérjük, melynek kimenetét a digitális oszcilloszkópra kötjük. Mivel egy egyatomos kontaktus stabilizálásához lényegesen precízebb mozgatásra, és alacsony hőmérsékletre lenne szükség, ezért a mérés során szétszakítás közben azt a rövid időtartamot rögzítjük, amikor csak pár atom köti össze a két oldalt. A vezetőképesség görbék ezen rövid szakasza a oszcilloszkóp megfelelő triggerelésével rögzíthető. Az oszcilloszkópot "single shot" üzemmódban használva egy szakítási görbe felvétele után a mintavételezés leáll. Ekkor számítógéppel beolvashatjuk a görbét, majd a mintavételezés újraindítása után várja az oszcilloszkóp a következő indító jelet. Több szakítási görbe felvételével a számítógép segítségével vezetőképesség hisztogramot készítünk.

1. Ismerjük meg, és próbáljuk ki az oszcilloszkóp beállítási lehetőségeit (triggerelési funkciók, matematikai műveletek, átlagolás, stb.) jelgenerátorként használjuk egy függvénygenerátor szinusz jelét!

2. Készítsünk számítógépes programot, mely az oszcilloszkóp kiválasztott csatornáját beolvassa, ábrázolja és fájlba menti. Írjunk egy rutint, mely az egymás után beolvasott görbék alapján hisztogramot készít, azaz kiszámolja a különböző feszültségértékek előfordulási gyakoriságát. Érdemes még a mérés előtt, felkészüléskor átgondolni, hogyan lehet hisztogram-készítő algoritmust megvalósítani. Állítsunk be a függvénygenerátoron egy erősen aszimmetrikus háromszög jelet. Triggereljünk a meredek lefutó élre, és vegyük fel annak a trigger szint körül egy rövid tartományát. Állítsuk az oszcilloszkópot single shot üzemmódba, és számítógéppel indítsuk el a mintavételezést. Folyamatosan figyeljük a mintavételezés státuszát, és amennyiben az oszcilloszkóp felvette a görbét, és befejezte a mintavételezést számítógéppel olvassuk be a mért görbét. Ezután számítógéppel indítsuk újra a mintavételezést. A beolvasott görbékkel teszteljük a hisztogramkészítő rutint.

3. Állítsuk össze a mérési elrendezést atomi méretű kontaktusok vizsgálatához. Teszteljük a kapcsolást egy 12900 Ω-os ellenállással. A mintaellenállás helyére kössük az arany szálat. Szakítsuk el a kontaktust, és vegyünk fel egyedi vezetőképesség görbéket. Tároljunk el pár görbét, melyek szépen mutatják a vezetőképesség platókat. A léptetőmotor vezérlésével a kontaktust újra meg újra elszakítva vegyünk fel legalább 100 görbét, és készítsünk vezetőképesség hisztogramot.

Segítség

A C:\_speclab\harompaneles_mcbj könyvtárban található a korábban megismert „hárompaneles” program ezen méréshez specializált változata, induljunk ki ebből a program írásakor. Ez tartalmaz két osztályt, ami a léptetőmotor (virtuális) soros porton való kezelését és az oszcilloszkópból a mért görbe kinyerését segíti. Ezek a kódrészletek előre meg vannak írva, keressük meg és értelmezzük őket!

Az oszcilloszkóp használata a következőképpen történik. Az alábbi két sorral létrehozzuk a hozzá való objektumot és inicializáljuk az oszcilloszkópot:

Tektronix = new DSO(GPIBdev1);
Tektronix.Initialize();

Ezután olvashatunk be görbéket a readScopeCurve() metódussal, ami kétdimenziós tömbbel tér vissza:

ScopeCurve = Tektronix.readScopeCurve("CH1");

A léptetőmotor használata hasonló. A soros porti Serial1 objektum paramétereinek beállítása után inicializáljuk a motort:

Motor1 = new StepperMotor(Serial1);
Motor1.Initialize();

A Move() metódus meghívásakor az argumentumban (másodpercben) megadott ideig forog a motor, előjelváltás hatására a forgás iránya megfordul.

Motor1.Move(0.5);

Az oszcilloszkóppal való kommunikációt a következőképpen állíthatjuk fel és tesztelhetjük. Kövessük a weboldalon megtalálható programozási segédlet (TDS500_programming.pdf) 20-21. oldalán írtakat és állítsuk az oszcilloszkópot GPIB kommunikációra, majd válasszunk neki egy címet (Primary Address). Kövessük a National Instruments Measurement & Automation szócikk "GPIB parancsok tesztelése" szakaszban leírtakat!