„Elektrosztatika példák - Hengerfelületre feltekert síkkondenzátor” változatai közötti eltérés

A Fizipedia wikiből
 
(egy szerkesztő 3 közbeeső változata nincs mutatva)
8. sor: 8. sor:
 
}}
 
}}
 
== Feladat ==
 
== Feladat ==
</noinclude><wlatex>#Adott egy síkkondenzátor, melynek fegyverzetei egymástól \textit{d} távolságra helyezkednek el. A kondenzátort feltekerjük egy vastag, $r$ sugarú hengerre úgy, hogy annak palástján a fegyverzetek $N$ réteget alkotnak az 1. ábra szerint. Mennyivel változik az így kapott kondenzátor kapacitása az eredeti állapotához képest? Tételezzük fel, hogy a feltekert fegyverzetek sok réteget alkotnak  ($N\gg 1$), és a rétegrendszer teljes vastagsága lényegesen kisebb, mint a henger sugara ($r\gg 2Nd$). [[Kép:KFGY2-3-9_1.png|none|300px]] </wlatex><includeonly><wlatex>{{Útmutatás|content=A Gauss tétel segítségével állapítsuk meg az egyes fóliarétegeken lévő töltésmennyiséget és adjuk össze!}}{{Végeredmény|content=$$C=\dfrac{Q}{U}=\dfrac{\dfrac{2N-1}{N}A\varepsilon_{0}E}{Ed}=\dfrac{2N-1}{N}\varepsilon_{0}\dfrac{A}{d} $$}}
+
</noinclude><wlatex>#Adott egy síkkondenzátor, melynek fegyverzetei egymástól $d$ távolságra helyezkednek el. A kondenzátort feltekerjük egy vastag, $r$ sugarú hengerre úgy, hogy annak palástján a fegyverzetek $N$ réteget alkotnak az 1. ábra szerint. Mennyivel változik az így kapott kondenzátor kapacitása az eredeti állapotához képest? Tételezzük fel, hogy a feltekert fegyverzetek sok réteget alkotnak  ($N\gg 1$), és a rétegrendszer teljes vastagsága lényegesen kisebb, mint a henger sugara ($r\gg 2Nd$). [[Kép:KFGY2-3-9_1.png|none|350px]] <br> 1. ábra</wlatex><includeonly><wlatex>{{Útmutatás|content=A Gauss tétel segítségével állapítsuk meg az egyes fóliarétegeken lévő töltésmennyiséget és adjuk össze!}}{{Végeredmény|content=$$C=\dfrac{Q}{U}=\dfrac{\dfrac{2N-1}{N}A\varepsilon_{0}E}{Ed}=\dfrac{2N-1}{N}\varepsilon_{0}\dfrac{A}{d} $$}}
 
</wlatex></includeonly><noinclude>
 
</wlatex></includeonly><noinclude>
 +
 
== Megoldás ==
 
== Megoldás ==
 
<wlatex>
 
<wlatex>
 
Ha $r\gg d$, akkor a fóliák közti térerősség rendre {$+E$, $-E$, $+E$, $-E$...} (2. ábra) ahol $U=Ed$ a fóliák között mérhető potenciálkülönbség.
 
Ha $r\gg d$, akkor a fóliák közti térerősség rendre {$+E$, $-E$, $+E$, $-E$...} (2. ábra) ahol $U=Ed$ a fóliák között mérhető potenciálkülönbség.
  
[[Kép:KFGY2-3-9_2.png|none|400px]]
+
[[Kép:KFGY2-3-9_2.png|none|350px]]
 +
<br> 2. ábra
  
 
Hogy megállapítsuk a legbelső, pozitív töltésű fóliarétegen található $Q_{1}$ töltés mennyiségét, felvesszük a 3. ábra szerinti felületet, és alkalmazzuk rá a Gauss törvényt.
 
Hogy megállapítsuk a legbelső, pozitív töltésű fóliarétegen található $Q_{1}$ töltés mennyiségét, felvesszük a 3. ábra szerinti felületet, és alkalmazzuk rá a Gauss törvényt.
  
[[Kép:KFGY2-3-9_3.png|none|400px]]
+
[[Kép:KFGY2-3-9_3.png|none|350px]]
 +
<br> 3. ábra
  
 
Belátható, hogy:
 
Belátható, hogy:
24. sor: 27. sor:
 
-A felvett felület csak a belső, $Q_{1}$ töltésű fóliaréteget zárja magába.
 
-A felvett felület csak a belső, $Q_{1}$ töltésű fóliaréteget zárja magába.
 
<br>  
 
<br>  
-A felvett felület   területű palástján mindenütt normális irányú, kifelé mutató $E$ térerősség mérhető.
+
-A felvett felület $2\pi r l$ területű palástján mindenütt normális irányú, kifelé mutató $E$ térerősség mérhető.
 
<br>
 
<br>
 
-A többi záró felületen a térerősségnek nincs felületre merőleges komponense.
 
-A többi záró felületen a térerősségnek nincs felületre merőleges komponense.
39. sor: 42. sor:
 
A második, negatív töltésű fóliarétegen található {$Q_{2}$} töltést az 4. ábra szerinti Gauss-felület felvételével határozzuk meg.
 
A második, negatív töltésű fóliarétegen található {$Q_{2}$} töltést az 4. ábra szerinti Gauss-felület felvételével határozzuk meg.
  
[[Kép:KFGY2-3-9_4.png|none|400px]]
+
[[Kép:KFGY2-3-9_4.png|none|350px]]
 +
<br> 4. ábra
  
 
Megállapítható, hogy:
 
Megállapítható, hogy:
58. sor: 62. sor:
 
$$ Q_{2}=-2Q_{1} $$  
 
$$ Q_{2}=-2Q_{1} $$  
  
A harmadik fóliaréteg is magába záró felületre felírt Gauss törvény a fentiek alapján:
+
A harmadik fóliaréteget is magába záró felületre felírt Gauss törvény a fentiek alapján:
  
 
$$ 2\pi rlE=\dfrac{Q_{1}+Q_{2}+Q_{3}}{\varepsilon_{0}} $$                 
 
$$ 2\pi rlE=\dfrac{Q_{1}+Q_{2}+Q_{3}}{\varepsilon_{0}} $$                 
66. sor: 70. sor:
 
$$ Q_{3}=2Q_{1} $$  
 
$$ Q_{3}=2Q_{1} $$  
 
 
Ha a Gauss tételt sorban alkalmazzuk olyan zárt felületekre, amelyek rendre egyel több fóliaréteget zárnak magukba az előzőleg felvett felülethez képest, beláthatjuk, hogy a töltés az egyes fóliarétegeken az 5. ábra szerint alakul.
+
Ha a Gauss tételt sorban alkalmazzuk olyan zárt felületekre, amelyek rendre eggyel több fóliaréteget zárnak magukba az előzőleg felvett felülethez képest, beláthatjuk, hogy a töltés az egyes fóliarétegeken az 5. ábra szerint alakul.
  
[[Kép:KFGY2-3-9_5.png|none|400px]]
+
[[Kép:KFGY2-3-9_5.png|none|350px]]
 +
<br> 5. ábra
  
 
A legkülső felületen szükségszerűen $-Q_{1}$ töltésnek kell lenni, hogy a rendszer kifelé semlegesnek mutatkozzék.
 
A legkülső felületen szükségszerűen $-Q_{1}$ töltésnek kell lenni, hogy a rendszer kifelé semlegesnek mutatkozzék.

A lap jelenlegi, 2013. szeptember 30., 16:01-kori változata

Navigáció Pt·1·2·3
Kísérleti fizika gyakorlat 2.
Gyakorlatok listája:
  1. Erőhatások elektromos erőtérben, elektromos térerősség
  2. Elektromos potenciál
  3. Dielektrikumok, Gauss-tétel. Kapacitás, kondenzátorok
  4. Kapacitás, kondenzátorok. Elrendezések energiája
  5. Vezetőképesség, áramsűrűség
  6. Biot-Savart törvény, gerjesztési törvény
  7. Erőhatások mágneses térben
  8. Mágneses térerősség. Kölcsönös és öninduktivitás
  9. Az indukció törvénye, mozgási indukció
  10. Mágneses tér energiája. Váltakozó áram, eltolási áram
Elektrosztatika - Dielektrikumok, Gauss-tétel. Kapacitás, kondenzátorok
Feladatok listája:
  1. Kétrétegű dielektrikummal töltött síkkondenzátor
  2. Fémlappal töltött síkkondenzátor
  3. Változó permittivitású dielektrikummal töltött síkkondenzátor
  4. Dielektriumba helyezett fémgömb potenciáltere
  5. Dielektrikummal határolt végtelen töltött henger
  6. Szigetelővel töltött hengerkondenzátor
  7. Változó permittivitású dielektrikummal töltött gömbkondenzátor
  8. Síkkondenzátor, munkavégzés
  9. Hengerfelületre feltekert síkkondenzátor
© 2012-2013 BME-TTK, TÁMOP4.1.2.A/1-11/0064

Feladat

  1. Adott egy síkkondenzátor, melynek fegyverzetei egymástól \setbox0\hbox{$d$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% távolságra helyezkednek el. A kondenzátort feltekerjük egy vastag, \setbox0\hbox{$r$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% sugarú hengerre úgy, hogy annak palástján a fegyverzetek \setbox0\hbox{$N$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% réteget alkotnak az 1. ábra szerint. Mennyivel változik az így kapott kondenzátor kapacitása az eredeti állapotához képest? Tételezzük fel, hogy a feltekert fegyverzetek sok réteget alkotnak (\setbox0\hbox{$N\gg 1$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%), és a rétegrendszer teljes vastagsága lényegesen kisebb, mint a henger sugara (\setbox0\hbox{$r\gg 2Nd$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%).
    KFGY2-3-9 1.png

    1. ábra

Megoldás


Ha \setbox0\hbox{$r\gg d$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, akkor a fóliák közti térerősség rendre {\setbox0\hbox{$+E$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, \setbox0\hbox{$-E$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, \setbox0\hbox{$+E$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, \setbox0\hbox{$-E$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%...} (2. ábra) ahol \setbox0\hbox{$U=Ed$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% a fóliák között mérhető potenciálkülönbség.

KFGY2-3-9 2.png


2. ábra

Hogy megállapítsuk a legbelső, pozitív töltésű fóliarétegen található \setbox0\hbox{$Q_{1}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% töltés mennyiségét, felvesszük a 3. ábra szerinti felületet, és alkalmazzuk rá a Gauss törvényt.

KFGY2-3-9 3.png


3. ábra

Belátható, hogy:
-A felvett felület csak a belső, \setbox0\hbox{$Q_{1}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% töltésű fóliaréteget zárja magába.
-A felvett felület \setbox0\hbox{$2\pi r l$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% területű palástján mindenütt normális irányú, kifelé mutató \setbox0\hbox{$E$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% térerősség mérhető.
-A többi záró felületen a térerősségnek nincs felületre merőleges komponense.

Ezek alapján a Gauss törvény:

\[ 2\pi rlE=\dfrac{Q_{1}}{\varepsilon_{0}} \]

Az első fóliaréteg töltése tehát:

\[ Q_{1}=2\pi rl\varepsilon_{0}E \]

A második, negatív töltésű fóliarétegen található {\setbox0\hbox{$Q_{2}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%} töltést az 4. ábra szerinti Gauss-felület felvételével határozzuk meg.

KFGY2-3-9 4.png


4. ábra

Megállapítható, hogy:
-Az új felület a már ismert \setbox0\hbox{$Q_{1}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% és a még ismeretlen \setbox0\hbox{$Q_{2}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% töltést zárja magába.
-A paláston mindenütt normális irányú, befelé mutató \setbox0\hbox{$E$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% térerősség mérhető.
-A többi záró felületen a térerősségnek nincs felületre merőleges komponense.

Ezek alapján a Gauss törvény:

\[ 2\pi rl(-E)=\dfrac{Q_{1}+Q_{2}}{\varepsilon_{0}} \]

A második fóliaréteg töltése tehát:

\[ Q_{2}=-2Q_{1} \]

A harmadik fóliaréteget is magába záró felületre felírt Gauss törvény a fentiek alapján:

\[ 2\pi rlE=\dfrac{Q_{1}+Q_{2}+Q_{3}}{\varepsilon_{0}} \]

A harmadik fóliaréteg töltése:

\[ Q_{3}=2Q_{1} \]

Ha a Gauss tételt sorban alkalmazzuk olyan zárt felületekre, amelyek rendre eggyel több fóliaréteget zárnak magukba az előzőleg felvett felülethez képest, beláthatjuk, hogy a töltés az egyes fóliarétegeken az 5. ábra szerint alakul.

KFGY2-3-9 5.png


5. ábra

A legkülső felületen szükségszerűen \setbox0\hbox{$-Q_{1}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% töltésnek kell lenni, hogy a rendszer kifelé semlegesnek mutatkozzék.

Egy fegyverzeten található össztöltés \setbox0\hbox{$N$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% db tekeredés esetén:

\[ Q=Q_{1}+2Q_{1}+2Q_{1}+...+2Q_{1}=(2N-1)\dfrac{A}{N}\varepsilon_{0}E \]

Ahol \setbox0\hbox{$A\cong 2\pi rlN$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% a fólia területe.

A lemezek közti feszültség \setbox0\hbox{$U=Ed$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, tehát a kapacitás:

\[C=\dfrac{Q}{U}=\dfrac{\dfrac{2N-1}{N}A\varepsilon_{0}E}{Ed}=\dfrac{2N-1}{N}\varepsilon_{0}\dfrac{A}{d} \]

A síkkondenzátor \setbox0\hbox{$\varepsilon_{0}\dfrac{A}{d}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% kapacitása \setbox0\hbox{$\dfrac{2N-1}{N}$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% -szeresére nőtt a feltekerés hatására. Ha \setbox0\hbox{$N$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0% igen nagy, \setbox0\hbox{$\dfrac{2N-1}{N}\rightarrow 2$}% \message{//depth:\the\dp0//}% \box0%, tehát a kapacitás kétszeresére nő.