„Elektrosztatika példák - Dielektriumba helyezett fémgömb potenciáltere” változatai közötti eltérés
A Fizipedia wikiből
(→Feladat) |
(→Feladat) |
||
(egy szerkesztő 4 közbeeső változata nincs mutatva) | |||
8. sor: | 8. sor: | ||
}} | }} | ||
== Feladat == | == Feladat == | ||
− | </noinclude><wlatex># Egy $R_1$ sugarú, $\ | + | </noinclude><wlatex># Egy $R_1$ sugarú, $\omega$ felületi töltéssűrűséggel egyenletesen töltött fémgömböt egy $d$ vastagságú, $\epsilon_r$ permittivitásű szigetelővel veszünk körbe. Hogyan függ a potenciál a centrumtól mért távolságtól? |
</wlatex><includeonly><wlatex>{{Útmutatás|content=Használjuk a Gauss tételt a különböző tartományokra!}}{{Végeredmény|content=Vagyis ha $R_2<r$ akkor $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r\cdot\epsilon_0\cdot}$$ Ha $R_1<r<R_2$ akkor $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{r}-\frac{1}{R_2}\right)$$ A gömb belsejében pedig konstans ptenciál van, amelynek értéke: $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{R_1}-\frac{1}{R_2}\right) $$}} | </wlatex><includeonly><wlatex>{{Útmutatás|content=Használjuk a Gauss tételt a különböző tartományokra!}}{{Végeredmény|content=Vagyis ha $R_2<r$ akkor $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r\cdot\epsilon_0\cdot}$$ Ha $R_1<r<R_2$ akkor $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{r}-\frac{1}{R_2}\right)$$ A gömb belsejében pedig konstans ptenciál van, amelynek értéke: $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{R_1}-\frac{1}{R_2}\right) $$}} | ||
</wlatex></includeonly><noinclude> | </wlatex></includeonly><noinclude> | ||
14. sor: | 14. sor: | ||
== Megoldás == | == Megoldás == | ||
<wlatex> | <wlatex> | ||
− | Legyen a külső gömb sugara $R_2 = R_1+d$, töltése pedig $Q$. Írjuk fel a Gauss-tételt | + | Legyen a külső gömb sugara $R_2 = R_1+d$, töltése pedig $Q$. Írjuk fel a Gauss-tételt egy $r$ sugarú gömbre, amely koncentrikus $R_1$-el és $R_2$-vel. |
− | $$\ | + | $$\int \int\vec{D}\cdot{\vec{dA}} = Q$$ |
− | Ha $r<R_1$ akkor $\vec{D} = 0$ és $\vec{E} = 0$ hiszen az integrálási tartományon belül nem található töltés. | + | Ha $r<R_1$, akkor $\vec{D} = 0$ és $\vec{E} = 0$, hiszen az integrálási tartományon belül nem található töltés. |
− | Ha $r>R_1$, akkor | + | Ha $r>R_1$, akkor az elektromos eltolás nagysága a következő: |
− | $$D\cdot 4\cdot\pi\cdot r = Q \Rightarrow D = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r^2}$$ | + | $$D\cdot 4\cdot\pi\cdot r^2 = Q \Rightarrow D = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r^2}$$ |
− | Az elektromos tér pedig | + | |
− | + | Az ebből származtatható elektromos tér nagysága pedig függ a gömböt koncentrikusan körülvevő anyag dielektromos állandójától: $$E = \frac{D}{\epsilon_0\cdot\epsilon_r}$$. | |
− | $R_1<r<R_2$ | + | |
+ | Így az elektromos tér a dielektrikum rétegben ($R_1<r<R_2$): | ||
+ | |||
$$E = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r^2\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}$$ | $$E = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r^2\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}$$ | ||
− | + | ||
+ | A dielektrikum rétegen kívül ($R_2<r$) : | ||
$$E = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r^2\cdot\epsilon_0}$$ | $$E = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r^2\cdot\epsilon_0}$$ | ||
− | A | + | |
+ | |||
+ | A potenciált az $r$ függvényében a következő integrál adja meg: | ||
$$U\left(r\right) = -\int_\infty^r E\left(\tilde{r}\right)\cdot d\tilde{r}$$ | $$U\left(r\right) = -\int_\infty^r E\left(\tilde{r}\right)\cdot d\tilde{r}$$ | ||
− | + | A dielektrikum rétegen kívül: ($R_2<r$) | |
$$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r\cdot\epsilon_0\cdot}$$ | $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot r\cdot\epsilon_0\cdot}$$ | ||
− | + | A dielektrikumban: ($R_1<r<R_2$) | |
$$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{r}-\frac{1}{R_2}\right)$$ | $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{r}-\frac{1}{R_2}\right)$$ | ||
− | A | + | A fémgömb belsejében a potenciál konstans, hiszen ott nincs elektromos tér. A potenciál értéke: |
$$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{R_1}-\frac{1}{R_2}\right) $$ | $$U = \frac{Q}{4\cdot\pi\cdot R_2\cdot\epsilon_0\cdot}+\frac{Q}{4\cdot\pi\cdot\epsilon_0\cdot\epsilon_r}\cdot\left(\frac{1}{R_1}-\frac{1}{R_2}\right) $$ | ||
− | |||
− | |||
</wlatex> | </wlatex> | ||
</noinclude> | </noinclude> |
A lap jelenlegi, 2018. február 23., 14:39-kori változata
Feladat
- Egy sugarú, felületi töltéssűrűséggel egyenletesen töltött fémgömböt egy vastagságú, permittivitásű szigetelővel veszünk körbe. Hogyan függ a potenciál a centrumtól mért távolságtól?
Megoldás
Legyen a külső gömb sugara , töltése pedig . Írjuk fel a Gauss-tételt egy sugarú gömbre, amely koncentrikus -el és -vel.
Ha , akkor és , hiszen az integrálási tartományon belül nem található töltés. Ha , akkor az elektromos eltolás nagysága a következő:
Az ebből származtatható elektromos tér nagysága pedig függ a gömböt koncentrikusan körülvevő anyag dielektromos állandójától: .Így az elektromos tér a dielektrikum rétegben ():
A dielektrikum rétegen kívül () :
A potenciált az függvényében a következő integrál adja meg:
A dielektrikum rétegen kívül: ()
A dielektrikumban: ()
A fémgömb belsejében a potenciál konstans, hiszen ott nincs elektromos tér. A potenciál értéke: